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Ultraviolett-Laser-Schneidemaschine LUD3200für monokristallines Siliziumfür WaferCNC
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Eigenschaften
- Technologie
- Ultraviolett-Laser
- Bearbeitetes Material
- für monokristallines Silizium
- Bearbeitetes Produkt
- für Wafer
- Steuerung
- CNC
- Anwendung
- für die Halbleiterindustrie
- Phasen
- einphasig
- Weitere Eigenschaften
- automatisch, Hochpräzision, hohe Effizienz
- X-Hub
200 mm
(7,87 in)- Y-Hub
300 mm
(11,81 in)- Wiederholbarkeit
2 µm
- Gesamtlänge
1.500 mm
(59 in)- Gesamtbreite
1.700 mm
(67 in)- Höhe
2.000 mm
(79 in)- Gewicht
1.500 kg
(3.306,93 lb)
Beschreibung
Ultraviolette Pikosekundenlaser werden zum präzisen Halb- oder Vollschneiden von Silizium- und Verbindungshalbleiterwafern verwendet.
- Hohe Qualität
Die Schnittlinienbreite ist schmal (am Beispiel der Ultraviolett-Kollimation, Schnittlinienbreite + HAZ ≤ 20 ± 5 μ m) Kleiner Kanteneinbruch (≤ 10 μ m）
- Hoher Wirkungsgrad
UPH ≥ 10 (UV-Galvanometer: am Beispiel eines 3-Zoll-Doppelmesa-Siliziumdiodenwafers, einschließlich automatischer Ausrichtungszeit)
- Gute Stabilität
Der Laser hat eine hohe Pulsstabilität (≤ 2% RMS) und eine hohe Strahlqualität (M ² ≤1,2)
Beispielanzeige：
Schneiden Front - 3-Zoll-Doppel-Mesa-Dioden-Wafer-Laser Vollschnitt; Korngröße: 300 * 300 μm, Wafer-Dicke 130 μm, Schneidkanal Dicke 30 μm.
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