Diese Ausrüstung wird für die Lasermodifikation und das Schneiden von Wafern auf Siliziumbasis in der Halbleiterindustrie für Anlagen zur Versiegelung und Prüfung von Chips mit einer Größe von 8 Zoll und mehr verwendet.
-Hohe Qualität
Es gibt keine Beschädigung auf der Oberfläche, keine Schneidnaht, und der Randkollaps ist sehr klein (≤ 2 μ m), der Rand ist klein (< 3 μ m)
-Hohe Effizienz
Multi-Fokus-Modifikation Modus kann angenommen werden, um die Effizienz des Schneidens zu multiplizieren
-Gute Stabilität
Der Laser hat eine hohe durchschnittliche Leistungsstabilität (≤± 3% über 24 Stunden) und eine hohe Strahlqualität (M ² < 1,5)
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