- Elektrotechnik - Elektronik
- Elektronisches Bauteil
- IGBT-Transistor
- Fairchild Semiconductor
IGBT-Transistormodul SNXH800H120L7QDSGLeistungSchalt
Zu meinen Favoriten hinzufügen
Zum Produktvergleich hinzufügen
Eigenschaften
- Typ
- IGBT
- Technologie
- Schalt, Leistung
- Strom
800 A
- Spannung
1.200 V
Beschreibung
Das SNXH800H120L7QDSG ist ein Halbbrücken-IGBT-Leistungsmodul mit Nennleistung. Die integrierten Field Stop Trench 7 IGBTs und Gen. 7 Dioden sorgen für geringere Leitungs- und Schaltverluste, so dass Entwickler einen hohen Wirkungsgrad und eine hohe Zuverlässigkeit erzielen können.
Anwendungen
DC-AC-Wandlung
DC-DC-Wandlung
AC-DC-Wandlung
Endprodukte
Landwirtschaftliche Nutzfahrzeuge (CAV)
Merkmale
Field Stop Trench 7 IGBTs & Gen.7 Dioden
2 in 1 Halbbrückenkonfiguration IGBT-Leistungsmodul
Isolierte Grundplatte
NTC-Thermistor
Lötbare Stifte
Niedrig induktives Layout
---
Kataloge
Für dieses Produkt ist kein Katalog verfügbar.
Alle Kataloge von Fairchild Semiconductor anzeigenWeitere Produkte von Fairchild Semiconductor
Discrete & Power Modules
Verwandte Suchbegriffe
- Wireless-Modul
- Potentiometer
- Fairchild Transistor
- Fairchild Schalttransistor
- Fairchild bipolarer Transistor
- Wireless-Modul / Daten
- Steuerungspotentiometer
- DRAM-Speichermodul
- Wireless-Modul / Bluetooth
- CMOS-Bildsensor
- IGBT-Transistormodul
- Signalvorverstärker
- Motorisierter Potentiometer
- Infrarot-Bildsensor
- Fairchild Audio-Transistor
- Anwendungsbereiche-Vorverstärker
- Bildsensor mit hoher Drehzahl
- Digitaler Potentiometer
- Silizium-Transistormodul
- Nahinfrarot-Bildsensor
* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.