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IGBT-Transistormodul NXH800H120L7QDSGLeistungSchalt
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Eigenschaften
- Typ
- IGBT
- Technologie
- Schalt, Leistung
- Strom
800 A
- Spannung
1.200 V
Beschreibung
Das NXH800H120L7QDSG ist ein Halbbrücken-IGBT-Leistungsmodul mit Nennleistung. Die integrierten Field Stop Trench 7 IGBTs und Gen. 7 Dioden sorgen für geringere Leitungs- und Schaltverluste, wodurch die Entwickler einen hohen Wirkungsgrad und eine überragende Zuverlässigkeit erzielen können.
Anwendungen
DC-AC-Wandlung
DC-DC-Wandlung
AC-DC-Wandlung
Endprodukte
Energiespeichersysteme
Solar-Wechselrichter
Motorantriebe
Unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme (UPS)
Merkmale
Feldstopp Trench 7 IGBTs & Gen.7 Dioden
2 in 1 Halbbrückenkonfiguration IGBT-Leistungsmodul
Isolierte Grundplatte
NTC-Thermistor
Lötbare Stifte
Niedrig induktives Layout
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Kataloge
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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.