Plasmaoberflächenbehandlungsanlage EVG®810LT LowTemp™

Das EVG810LT LowTemp™ Plasma-Aktivierungssystem ist ein einkammeriges, eigenständiges Gerät mit manueller Bedienung. Die Prozesskammer ermöglicht Ex-situ-Prozesse (Wafer werden nacheinander aktiviert und außerhalb der Plasmaaktivierungskammer gebunden). Merkmale Oberflächenplasmaaktivierung für Niedertemperatur-Bonden (Fusion/Molekular- und Zwischenschicht-Bonden) Schnellste Kinetik aller Wafer-Bonding-Mechanismen Keine Nassprozesse erforderlich Höchste Haftfestigkeit bei Niedertemperaturglühen (bis 400°C) Anwendbar für SOI, MEMC, Verbindungshalbleiter und Advanced Substrates Bonding Hohe Materialverträglichkeit (auch CMOS) Technische Daten Waferdurchmesser (Substratgröße) 50 - 200, 100 - 300 mm, 100 - 300 mm LowTemp™ Plasma-Aktivierungskammer Prozessgase: 2 Standard-Prozessgase (N2 und O2) Universeller Massenstromregler: selbstkalibrierend (bis zu 20.000 sccm) Vakuumsystem: 9x10-2 mbar Öffnen / Schließen der Kammer: automatisiert Be- und Entladung der Kammer: manuell (Wafer / Substrat auf Ladestifte gelegt) Optionale Ausstattung Spannfutter für verschiedene Wafergrößen Metallionenfreie Aktivierung Zusätzliche Prozessgase mit Gasmischung Hochvakuumsystem mit Turbopumpe: 9x10-3-3 mbar Basisdruck