Das Redundanz Modul wurde für den ausfallsicheren Betrieb von Netzteilen vor allem im DIN TS-35 Bereich entwickelt. In diesem Modul übernehmen nun Halbleiter MosFETs die Aufgabe der Entkopplungsdioden, die die Verluste massiv reduzieren. Dank der MosFET-Technologie ist der Spannungsabfall von Eingang zu Ausgang sehr gering (typ. 60mV bei 2x10A).
Bei einem Laststrom von z.B. 40A entsteht im MosFET-Redundanz-Modul nur noch ein Verlust von ca. 3W.
Das MRM konnte durch die neue Technologie sehr kompakt aufgebaut werden.
Die Ausgänge der beiden Netzgeräte werden auf der Eingangsseite des MRM angeschlossen und auf der Ausgangsseite steht damit eine sichere Stromversorgung zur Verfügung.