DIOFET ist ein proprietärer Prozess, der einen Leistungs-MOSFET mit einer Schottky-Diode monolithisch in einen einzelnen Siliziumchip integriert. Der integrierte Schottky reduziert den Durchlassspannungsabfall der Karosseriediode um fast 50% und hat zudem eine geringere Reverse Recovery Charge.
In der Anwendung bedeutet dies, dass die Leitungs- und Schaltverluste reduziert werden und die Schaltung insgesamt mit einem höheren Wirkungsgrad bei einer niedrigeren Betriebstemperatur arbeitet. Darüber hinaus ist der DIOFET ein lawinenrobuster Prozess und die Geräte verfügen über ein niedriges Gate-Kapazitätsverhältnis, um das Risiko von Durchschussströmen zu reduzieren.
Der DIOFET ist gut geeignet für Point-of-Load (PoL) DC-DC-Wandler, die in Computern, Telekommunikations- und Industrieanwendungen eingesetzt werden, einschließlich:
Laptops, Netbooks und Notebooks
Set-Top-Boxen
Server und Desktop-Computer
Telekommunikationsausrüstung
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