Bipolarer Transistor

LeistungSilizium

Diodes ist Marktführer, wenn es um Bipolartransistoren geht. Durch die breite Palette an eigenen Gehäusen und die überlegene Siliziumtechnologie ist Diodes ideal positioniert, um Ihre Anwendungsanforderungen an Bipolartransistoren zu erfüllen. Kontinuierliche Innovation Das Portfolio der Bipolartransistoren basiert auf den nachfolgenden Generationen unseres innovativen Matrix-Emitter-Verfahrens. Langjähriges Know-how, hochmoderne Designs und Prozessinnovationen haben unsere Führungsrolle beim Bau von Transistoren mit extrem geringer Sättigung und schneller Umschaltung ausgebaut. Erstklassige Leistung Mit dem Fokus auf die Prozessoptimierung für die niedrigste Sättigungsspannung, den reduzierten Die-Bereich und die damit verbundene verbesserte Schaltleistung ermöglicht die konsequente Reduzierung der Verlustleistung immer kleinere SMD-Gehäuse, die dennoch den Anforderungen der Zielanwendungen entsprechen. Die inhärente Robustheit der Bipolar gegenüber ESD und ihr sehr niedriger spezifischer On-Widerstand machen sie auch zu sehr kostengünstigen Alternativen zur MOSFET-Technologie in einer Vielzahl von Schaltungstopologien. Anwendungsspezifische Produkte Die Marktnachfrage nach verbesserten elektronischen Systemlösungen, sei es in Bezug auf verbesserte Effizienz, erhöhte Leistungsdichte oder einfach nur Kostensenkung, treibt alle unsere anwendungsspezifischen Produkte voran. Lawinentransistoren, Gate-Treiber und H-Brücken-Bauelemente wurden alle entwickelt, um spezielle Lösungen zu entwickeln, die auf die Kundenbedürfnisse zugeschnitten sind, und die Vorteile der außergewöhnlichen Transistor-Die-Leistung mit dem Know-how des Diodengehäuses zu kombinieren.