Das Messsystem für kritische Abmessungen und Überlagerungen von strukturierten Wafern ist ein optisches Prüfgerät, das sowohl eine hochpräzise Prüfung der XY-Ebene als auch eine 3D-Topografiemessung im Subnanometerbereich durchführen kann. Es kann mehrere Bereiche auf einer großen Oberfläche genau und automatisch mit hervorragender Wiederholbarkeit scannen, was die Messeffizienz deutlich erhöht und menschliche Fehler reduziert.
Durch die Ausstattung mit einem hochauflösenden optischen Objektiv und die Kombination mit einem hochpräzisen Bildanalysealgorithmus kann das System im CNC-Modus die Messobjekte automatisch positionieren und erkennen und dann alle Größen entsprechend dem Programm automatisch messen und bewerten. Gleichzeitig ist ein Weißlicht-Interferometrie-Messsystem integriert, das die Wafer-Oberfläche scannen kann, um ein 3D-Profilbild der Oberfläche zu erstellen und dann die Größen in Z-Richtung im Nanometerbereich zu analysieren.
Es findet breite Anwendung in der Ultrapräzisionsbearbeitung, z. B. in der Halbleiterfertigung und bei der Inspektion von Verpackungsprozessen, in der optischen Verarbeitung, bei MEMS-Komponenten usw.
Anwendung
Overlay-Offset-Messung
Key Dimensions Messung
3D-Bemaßung Messung
Ätztiefenmessung und Profilanalyse
Laser-Nut-Tiefen- und -Breitenmessung
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