Anwendung:
Dicken- und Verformungsmessung für unstrukturierte Wafer
Die 3D-Form auf der Basis der Ober- und Unterseite des Wafers wird durch berührungslose Messung rekonstruiert. Die leistungsstarke Mess- und Analysesoftware gewährleistet die stabile Berechnung der Dicke, Rauheit und Gesamtdickenvariation (TTV) des Wafers.
Rauheitsmessung für ungemusterte Wafer
Während des Grob- und Feinschleifprozesses zum Ausdünnen des Wafers werden die Werte der Oberflächenrauhigkeit Sa und ihre Stabilität zur Bewertung der Bearbeitungsqualität herangezogen. Wenn der gedünnte Siliziumwafer in der stark lärmbelasteten Umgebung der Produktionshalle gemessen wird, liegen die Rauheitswerte Sa der fein geschliffenen Siliziumwafer im Bereich von 5 nm, und die Wiederholbarkeit beträgt 0,046987 nm auf der Grundlage von 25 Messdaten, was beweist, dass die Messstabilität gut ist.
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