MOSFET CDM22010-650

BESCHREIBUNG: Der CENTRAL SEMICONDUCTOR CDM22010-650 ist ein Hochstrom-N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit 650 Volt, der für schnell schaltende Hochspannungsanwendungen wie Power Factor Correction (PFC), Beleuchtung und Leistungsumrichter entwickelt wurde. Dieser MOSFET kombiniert Hochspannungsfähigkeit mit niedrigem rDS(ON), niedriger Schwellenspannung und niedriger Gate-Ladung. MARKIERUNGSCODE: CDM10-650 ANWENDUNGEN: - Leistungsfaktor-Korrektur - Motorische Antriebe - Wechselrichter für alternative Energie - Festkörper-Beleuchtung MERKMALE: - Hochspannungsfähigkeit (VDS=650V) - Niedrige Gate-Ladung (Qgs=8.0nC) - Niedrige rDS(ON) (0.88Ω)