FET-Transistor CMPFJ176
Silizium

FET-Transistor
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Eigenschaften

Typ
FET
Weitere Eigenschaften
Silizium
Spannung

30 V

Beschreibung

BESCHREIBUNG: Die CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPFJ175 und CMPFJ176 sind epoxidharzgeformte P-Kanal-JFETs hergestellt in einem SOT-23-Gehäuse, das für Low-Level-Verstärkeranwendungen ausgelegt ist. MARKIERUNGSCODES CMPFJ175: 6W CMPFJ176: 6X

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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.