- Elektrotechnik - Elektronik
- Elektronisches Bauteil
- FET-Transistor
- Central Semiconductor
FET-Transistor CMPFJ175Silizium
Zu meinen Favoriten hinzufügen
Zum Produktvergleich hinzufügen
Eigenschaften
- Typ
- FET
- Weitere Eigenschaften
- Silizium
Beschreibung
BESCHREIBUNG:
Die CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPFJ175 und CMPFJ176 sind epoxidharzgeformte P-Kanal-JFETs
hergestellt in einem SOT-23-Gehäuse, das für Low-Level-Verstärkeranwendungen ausgelegt ist.
MARKIERUNGSCODES
CMPFJ175: 6W
CMPFJ176: 6X
---
Kataloge
Verwandte Suchbegriffe
- Diode
- Transistormodul
- Gleichrichterdiode
- Spannungsdiode
- Siliziumdiode
- Hochspannungsdiode
- Diode für Oberflächenmontage
- Schalt-Transistormodul
- Diode / hohe Schaltgeschwindigkeit
- Feldeffekttransistor
- MOSFET-Transistormodul
- Bipolarer Transistor
- PN-Übergang-Diode
- Dioden-Brückengleichrichter
- Schottky-Diode
- Diodenarray
- Strom-Diode
- Silizium-Transistormodul
- Schaltdiode
- Diode mit schneller Netzrückspeisung
* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.