NPN-Transistor CTLM1034-M832D

LeistungSiliziumSchottkydiode

BESCHREIBUNG: Der CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLM1034-832D besteht aus einem NPN-Transistor mit niedrigem VCE(SAT) und einem Schottky-Gleichrichter mit niedrigem VF. Er ist in einem kleinen, thermisch effizienten, bleifreien 3x2mm-Gehäuse zur Oberflächenmontage untergebracht und für Anwendungen konzipiert, bei denen geringe Größe, Betriebseffizienz und niedriger Energieverbrauch die Hauptanforderungen sind. Aufgrund seines bleifreien Gehäusedesigns ist dieser Schottky-Gleichrichter baustein ist in der Lage, bis zum 4-fachen der Leistung ähnlicher Bausteine in oberflächenmontierbaren Gehäusen vergleichbarer Größe zu dissipieren. MARKIERUNGSCODE: CFC ANWENDUNGEN - Schalt-Schaltkreise - DC/DC-Wandler - LCD-Hintergrundbeleuchtung - Anwendungen für batteriebetriebene / tragbare Geräte wie Mobiltelefone, Digitalkameras, Pager, PDAs, Notebook-PCs usw. MERKMALE - Dual-Chip-Gerät - Hochstrom (1,0A) Transistor und Schottky-Gleichrichter - NPN-Transistor mit niedrigem VCE(SAT) (450mV @ IC=1,0A MAX) - Schottky-Gleichrichter mit niedriger VF (550mV @ 1,0A MAX) - Verhältnis von hoher Leistung zur Grundfläche von 275mW pro Quadratmeter mm (Verlustleistung / Gehäuseoberfläche) - Kleines 3x2mm TLM-Gehäuse für bleifreie Oberflächenmontage - Komplementäres Gerät: CTLM1074-M832D