BESCHREIBUNG:
Die CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLD3003DO und CMLD3003DOG Geräte enthalten zwei (2) isolierte
entgegengesetzte Konfiguration, Silizium-Schaltdioden, hergestellt nach dem Epitaxie-Planarverfahren, Epoxid
gegossen in einem SOT-563-Gehäuse für Oberflächenmontage. Diese Bausteine wurden für Schaltanwendungen entwickelt, die eine extrem niedrige Leckage erfordern
MARKIERUNGSCODES:
CMLD3003DO: C30
CMLD3003HUND: 3CG
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