BESCHREIBUNG:
Der ZENTRALE HALBKONDUKTOR CMKD3003DO
enthält zwei (2) isolierte, einander gegenüberliegende Silizium-Schaltdioden, die nach dem Epitaxie-Planarverfahren hergestellt und in einem ULTRAmini™ Gehäuse zur Oberflächenmontage epoxygegossen sind. Diese Bauelemente sind für Schaltanwendungen ausgelegt, die eine extrem niedrige Leckage erfordern.
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