Massenspektrometer SIMS 4550

Sekundärionen-Massenfür die HalbleiterindustriePMT

Quadrupol SIMS Dotierungstiefenprofilierung und Dünnschichtanalyse in Halbleitern Die CAMECA SIMS 4550 bietet erweiterte Möglichkeiten für die Messung von ultraflachen Tiefenprofilen, Spurenelementen und Zusammensetzungen von dünnen Schichten aus Si, High-k, SiGe und anderen Verbundwerkstoffen wie III-V für optische Vorrichtungen. Hohe Tiefenauflösung und hoher Durchsatz Mit immer kleiner werdenden Geräteabmessungen liegen die Implantatprofile und Schichtdicken der heutigen Halbleiter oft im Bereich von 1-10nm. Das SIMS 4550 wurde optimiert, um diese Anwendungsbereiche abzudecken, indem es einen hochdichten Primärstrahl aus Sauerstoff und Cäsium mit einer programmierbaren Schlagenergie von 5keV bis unter 150eV bietet. Flexibilität CAMECAs SIMS 4550 ist ein dynamisches SIMS-Werkzeug, das volle Flexibilität bei Sputterbedingungen (Einschlagwinkel, Energie, Art) bietet. Mit speziellen Optionen zur Ladungskompensation (Elektronenkanone, Laser) beim Probenzerstäuben können Isoliermaterialien einfach analysiert werden. Das SIMS 4550 misst Schichtdicke, Ausrichtung, Abruptheit, Integrität, Gleichmäßigkeit und Stoechiometrie. Probenhalter können eine Vielzahl von Proben aufnehmen: kleine Stücke von wenigen mm² bis zu einer Probengröße von 100 mm Durchmesser.