FET-Transistor ATF-33143RFGaAsgeräuscharm
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Eigenschaften
- Typ
- FET
- Weitere Eigenschaften
- RF, GaAs, geräuscharm
Beschreibung
Mit extrem rauscharmem PHEMT. Der Prozess ist optimiert, um einen sehr niedrigen Rauschwert für kritische Mobilfunk-/PCS-Basisstationen und andere drahtlose HF-Anwendungen, eine hohe Teile-zu-Teil-Konsistenz und eine ausgezeichnete Zuverlässigkeit zu gewährleisten. Der ATF-33143 ist im Miniatur-SOT-343-Gehäuse verpackt. NF=0,5dB, Ga=15dB, P1dB= 22dBm und OIP3=33,5dBm bei 4V, 80mA (2 GHz)
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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.