Transistor / Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode BID series

Schalt

Die diskrete BID-Serie von Bourns® IGBT kombiniert die Technologie eines MOS-Gate- und eines bipolaren Transistors und ist damit das richtige Bauteil für Hochspannungs- und Hochstromanwendungen. Dieser Baustein verwendet die fortschrittliche Trench-Gate-Field-Stop-Technologie, die eine bessere Kontrolle über die dynamischen Eigenschaften ermöglicht und gleichzeitig zu einer niedrigeren Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE(sat)) und geringeren Schaltverlusten führt. Darüber hinaus erhöht diese Struktur die Robustheit des Bauelements und führt zu einem niedrigeren RTH-Wert. Die Bourns® IGBT-Lösung ist für SMPS-, USV- und PFC-Anwendungen geeignet.