für Lesen/Schreiben
Lesespannung bei IS: "44 mVss ± 25 % (Lesen)
Lesespannungsdifferenz zwischen den Spuren: 90 % (Lesen)
Übersprechen dyn. @ 120 FRPI: < 2 % (Lesen)
Referenzstrom @ 95 % UL max.: 320 mApp ± 25 % (Schreiben)
Induktivität @ 1 kHz / 50 mV: 2.3 mH ± 25 % (Schreiben); 125 mH ± 25 % (Lesen)
Gleichstromwiderstand 5.3 Ω ± 25 % (Schreiben); 180 Ω ± 25 % (Lesen)
Spaltbreite 0.03 mm
Messbedingungen
Aufzeichnungsmedium: RM 7811-6 A
Relativgeschwindigkeit: 50 cm/s
Aufzeichnungsdichte: 120 FRPI
Entsprechende Schreibfrequenz: 1.18 kHz
Lesekopflast: 10 kΩ//330 pF
Lesebandbreite: 30 kHz
Schreibstrom: 500 mASS
Anstiegszeit des Stromes: 75 µ
hartbeschichtet
Schreiben und Lesen
1 Spur für Karte
Hc-3200 A/cm