Für Siliziumsolarzellen der nächsten Generation, bei denen die SiNx-Schicht durch Laserablation geöffnet wurde, kann die Meco Direct Plating Line (DPL) eine dichte Schicht aus Ni-Ag, Ni-Cu-Ag oder Ni-Cu-Sn auf hochohmige Emitter aufbringen. Dies führt zu einer Effizienzsteigerung von bis zu 1% (abs.) und einer enormen Kostenreduktion (US$/Wp), da keine Ag-Paste mehr für die Vorderseitenmetallisierung benötigt wird.
Wesentliche Merkmale
-Vertikale Produkthandhabung
-Geringe Ausschleppung von Beschichtungschemikalien
-kompaktes Maschinendesign/einfach zu warten
inline-Beschichtungsprozess/hohe Betriebszeit
-Effizienzsteigerung: bis zu 1 % (abs.) bei direkter Metallisierung
-Werkstoffkosten (BoM) bis zu 0,05 US$/Wp niedriger, da kein Ag mehr für die Vorderseitenmetallisierung benötigt wird
-Bewährtes Maschinenkonzept (> 350 Maschinen in der Halbleiterindustrie)
-Prozessanlauf durch Meco
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