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Infrarotdetektor Halbleiter
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Eigenschaften
- Technologie
- Infrarot, Halbleiter
Beschreibung
Anwendung
Hochempfindliche HPGe-Infrarotdetektoren sind für NIR-Fluoreszenz- oder Raman-Spektroskopie und ähnliche Anwendungen im Spektralbereich von 850 nm bis 1,7 µm vorgesehen
Eigenschaften
- Höchste Empfindlichkeit
- Niedriger Rauschpegel
- Frequenzbereich bis zu 300 Hz
- LN2 gekühlte elektronische Eingangsstufe (FET und Rückkopplungswiderstand)
- RG 850-Fenster mit Antireflexionsbeschichtung
- Vorverstärker mit Temperaturüberwachung
- Verschiedene Typen von Dewargefäßen sind erhältlich
BESCHREIBUNG
HPGe-Infrarotdetektoren sind für die NIR-Fluoreszenz- oder Raman-Spektroskopie und ähnliche Anwendungen im Spektralbereich von 850 nm bis 1,7 µm vorgesehen.
KOMPLETTSET
- HPGe-IR-Detektor in Kryostat und LN2-Dewar
- Rauscharmer Vorverstärker mit HV-Bias-Versorgung für den Detektor
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HPGe Detectors & Spectrometers
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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.