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FET-Transistor FeldeffektLeistunggeräuscharm
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Eigenschaften
- Typ
- FET, Feldeffekt
- Technologie
- Leistung
- Weitere Eigenschaften
- geräuscharm
Beschreibung
Avago verfügt über ein umfangreiches Portfolio an bipolaren Silizium-HF-Transistoren und GaAs-FETs
Die GaAs FET-HF-Transistoren sind ideal für die erste oder zweite Stufe der Basisstation LNA aufgrund der hervorragenden Kombination aus niedrigem Rauschmaß und verbesserter Linearität
Avagos bipolare RF-Transistoren bieten eine hohe Leistung, die für maximale fT bei Niederspannungsbetrieb optimiert ist, was sie ideal für den Einsatz in batteriebetriebenen Anwendungen in drahtlosen Märkten macht.
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Kataloge
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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.