Der ADRF5022 ist ein nichtreflektierender, einpoliger Umschalter (SPDT), der im Siliziumverfahren hergestellt wird.
Der ADRF5022 arbeitet von 100 MHz bis 45 GHz mit einer typischen Einfügedämpfung von 2,3 dB und einer Isolierung von 43 dB. Der Baustein hat eine HF-Eingangsleistung von 30 dBm für den Durchgangspfad, 24 dBm für den abgeschlossenen Pfad und 30 dBm für die Heißschaltung am gemeinsamen HF-Anschluss.
Der ADRF5022 benötigt eine positive Versorgungsspannung von +3,3 V und eine negative Versorgungsspannung von -3,3 V. Der Baustein arbeitet mit komplementären Metalloxidhalbleitern (CMOS) und LVTTL-kompatiblen Steuerungen (Low-Voltage Transistor to Transistor Logic).
Der ADRF5022 kann auch mit einer einzigen positiven Versorgungsspannung (VDD) betrieben werden, während die negative Versorgungsspannung (VSS) mit Masse verbunden ist. In diesem Betriebszustand wird die Kleinsignalleistung beibehalten, während die Schalteigenschaften, die Linearität und die Belastbarkeit herabgesetzt sind. Weitere Einzelheiten finden Sie in Tabelle 2 des Datenblatts.
DerADRF5022 ist pin-kompatibel mit dem ADRF5023, der Niederfrequenz-Cutoff-Version, die von 9 kHz bis 45 GHz arbeitet.
Der ADRF5022 wird in einem RoHS-konformen LGA-Gehäuse (Land Grid Array) mit 20 Anschlüssen und einer Größe von 3,0 mm × 3,0 mm geliefert und kann bei Temperaturen von -40°C bis +105°C betrieben werden.
ANWENDUNGEN
Test und Instrumentierung
Zellulare Infrastruktur: 5G-Millimeterwelle
Industrie-Scanner
Merkmale
Ultrabreitband-Frequenzbereich: 100 MHz bis 45 GHz
Reflektionsfreie Konstruktion
Niedrige Einfügungsdämpfung
1.2 dB typisch bis 18 GHz
1.9 dB typisch bis 40 GHz
2.3 dB typisch bis 45 GHz
Hohe Isolation: 43 dB typisch bis 45 GHz
Hohe Eingangslinearität
0.1 dB Leistungskompression (P0.1dB): 31 dBm
Unterbrechung dritter Ordnung (IP3): 55 dBm
Hohe Belastbarkeit bei TCASE = 85°C
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