Echte Waferoberflächentemperatur- und Reflexionsmessung für GaN-basierte Epitaxie, 650 bis 1300°C
Die Pyrometer UV 400 und UVR 400 von Advanced Energy messen direkt die Oberflächentemperatur der Wafer anstelle der herkömmlichen Suszeptor-/Taschentemperatur.
Großer Temperaturbereich (650 bis 1300°C) ermöglicht die Abdeckung sowohl des Hauptpufferwachstums als auch des MQW-Wachstums
-Messung der Abscheidungsdicke mit dem zusätzlichen Reflektometer bei 635 nm auf dem UVR 400
-Einstellbarer Emissionsgrad, Transmissionsgrad und Teilbereich
Übersicht
Die Pyrometer UV 400 und UVR 400 von Advanced Energy messen direkt die Oberflächentemperatur der Wafer. Diese verbesserte Methode ermöglicht eine genauere Steuerung der Wafertemperatur, was zu einer verbesserten Ausbeute führt.
Der UVR 400 beinhaltet ein zusätzliches Reflektometer bei 635 nm mit 0,5 kHz Messgeschwindigkeit. Dies ermöglicht es Ihnen, die Schichtdicke zu messen.
Diese Systeme setzen einen neuen Standard für die LED-Produktionsprozesse. Die Ergebnisse zeigen eine zuverlässige Korrelation zwischen Prozesstemperatur und Endproduktwellenlänge.
Vorteile
Verbesserte Ausbeute durch genaue, echte Wafer-Temperaturmessung
Messen Sie die Temperatur direkt auf der GaN-Schicht mit Hilfe von UV-Wellenlängenmessgeräten
-Erfassung der Echtzeit-Reflexionsmessung mit einer schnell pulsierenden Lichtquelle
-Verhindern Sie Temperaturschwankungen der Rückstände, wie sie bei NIR-emissionsgangkompensierten Pyrometern auftreten
-Verhindern Sie Datenverzerrungen durch verzögertes Abtasten (kein Shutter ein und aus)
Merkmale
Zuverlässige Wafertemperatur mit PL-Wellenlängenkorrelation
Analogausgang und RS485 mit UPP-Protokollschnittstellen verfügbar
-Einstellbarer Teilbereich innerhalb des Temperaturbereichs
-Das Gerät widersteht einer Stickstoffatmosphäre und einem Vakuum (< 10 mbar)
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