RF-Verstärker HMC8412 series

MikrowellenLeistungSpannung

Niedrige Rauschzahl: 1.4 dB typisch Einfache positive Versorgung (self biased) Hohe Verstärkung: ≤15,5 dB typisch Hoher OIP3: ≤33 dBm typisch RoHS-konform, 2 mm × 2 mm, 6-poliges LFCSP HMC8412TCPZ-EP Unterstützt Verteidigungs- und Raumfahrtanwendungen (AQEC-Standard) Datenblatt HMC8412TCPZ-EP herunterladen (pdf) Militärischer Temperaturbereich (-55°C bis +125°C) Kontrollierte Fertigungsbasis 1 Montage-/Teststandort 1 Fertigungsstandort Benachrichtigung bei Produktänderungen Qualifizierungsdaten auf Anfrage erhältlich V62/21602 DSCC-Zeichnungsnummer Der HMC8412 ist ein Galliumarsenid (GaAs) monolithisch integrierter Mikrowellenschaltkreis (MMIC), pseudomorpher Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit (pHEMT), rauscharmer Breitbandverstärker, der von 0,4 GHz bis 11 GHz arbeitet. Der HMC8412 bietet eine typische Verstärkung von 15,5 dB, eine typische Rauschzahl von 1,4 dB und einen typischen Ausgangsintercept dritter Ordnung (OIP3) von ≤33 dBm und benötigt nur 60 mA bei einer Drain-Versorgungsspannung von 5 V. Die gesättigte Ausgangsleistung (PSAT) von typisch ≤20,5 dBm ermöglicht es dem rauscharmen Verstärker (LNA), als Treiber für einen lokalen Oszillator (LO) für viele symmetrische I/Q- oder Bildunterdrückungsmischer von Analog Devices, Inc. zu fungieren. Der HMC8412 verfügt auch über Eingänge und Ausgänge, die intern auf 50 Ω abgestimmt sind, wodurch das Gerät ideal für oberflächenmontierte Technologie (SMT) basierte Mikrowellenfunkanwendungen mit hoher Kapazität ist. Der HMC8412 ist in einem RoHS-konformen, 2 mm × 2 mm großen, 6-poligen LFCSP untergebracht. Test-Instrumentierung Telekommunikation Militärisches Radar und Kommunikation Elektronische Kampfführung Luft- und Raumfahrt