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Widerstand-Transistoren
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Strom: 40 A
Spannung: 40 V
... OptiMOS™ 6 Leistungs-MOSFETs mit klassenbestem RDS(on) und überragender Schaltleistung Die OptiMOS™ 6 Leistungs-MOSFET 40V-Familie ist für eine Vielzahl von Anwendungen und Schaltungen optimiert, z. B. für die synchrone Gleichrichtung ...
Infineon Technologies AG
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Strom: 130 A
Spannung: 40 V
... Die OptiMOS™ 6-Leistungs-MOSFET-Familie ist für eine Vielzahl von Anwendungen und Schaltungen optimiert, z. B. für die synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen (SMPS) in Servern, Desktop-PCs, drahtlosen Ladegeräten, Schnellladegeräten ...
Infineon Technologies AG
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Strom: 139 A
Spannung: 40 V
... Die OptiMOS™ 6-Leistungs-MOSFET-Familie ist für eine Vielzahl von Anwendungen und Schaltungen optimiert, z. B. für die synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen (SMPS) in Servern, Desktop-PCs, drahtlosen Ladegeräten, Schnellladegeräten ...
Infineon Technologies AG
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Strom: 147 A
Spannung: 40 V
... Die OptiMOS™ 6 Power MOSFET 40V-Familie ist für eine Vielzahl von Anwendungen und Schaltungen optimiert, wie z.B. die synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen (SMPS) in Servern, Desktop-PCs, drahtlosen Ladegeräten, Schnellladegeräten ...
Infineon Technologies AG
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Strom: 285 A
Spannung: 40 V
... Die OptiMOS™ 6-Leistungs-MOSFET-Familie ist für eine Vielzahl von Anwendungen und Schaltungen optimiert, z. B. für die synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen (SMPS) in Servern, Desktop-PCs, drahtlosen Ladegeräten, Schnellladegeräten ...
Infineon Technologies AG
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Strom: 381 A
Spannung: 40 V
... Die OptiMOS™ 6-Leistungs-MOSFET-Familie ist für eine Vielzahl von Anwendungen und Schaltungen optimiert, z. B. für die synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen (SMPS) in Servern, Desktop-PCs, drahtlosen Ladegeräten, Schnellladegeräten ...
Infineon Technologies AG
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Strom: 381 A
Spannung: 40 V
... Die OptiMOS™ 6 Power MOSFET 40V-Familie ist für eine Vielzahl von Anwendungen und Schaltungen optimiert, wie z.B. die synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen (SMPS) in Servern, Desktop-PCs, drahtlosen Ladegeräten, Schnellladegeräten ...
Infineon Technologies AG
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Strom: 5 A
Spannung: 500 V
... Buchsen für Leistungstransistoren 5.45mm / 0.215" Teilung Hohe Temperatur Geringe Ausgasung Hochzuverlässiger runder Kontakt mit guter elektrischer und mechanischer Leistung. Die Testfassungen für Leistungstransistoren eignen sich für ...
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Strom: 5 A
... Sockel für Leistungstransistoren Für TO-247(4pin) Hohe Temp. ℃ Geringe Ausgasung Diese Testfassungen für Leistungstransistoren sind für das TO-247(4pin)-Gehäuse geeignet und können in Umgebungen mit hohen Temperaturen eingesetzt werden. ...
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Strom: -0,5 A
Spannung: -50 V
... Kollektorstromfähigkeit Niedrige Sättigungsspannung zwischen Kollektor und Emitter (Widerstand): Niedriger ON-Widerstand (Ron) Pb-frei, halogenfrei und RoHS-konform ...
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Strom: 20 A
Spannung: 650 V
... Ron*Coss) erreicht hat. Es handelt sich um ein Produkt der EcoGaN™ Serie, das durch die optimale Nutzung des niedrigen ON-Widerstands und der hohen Schaltgeschwindigkeit zur Leistungsumwandlungseffizienz und zur Größenreduzierung ...
ROHM Semiconductor
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Strom: 24 A
Spannung: 40 V
... Der HP8KB6 ist ein MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand, der sich ideal für Schaltanwendungen eignet. EIGENSCHAFTEN: ♦Niedriger Einschaltwiderstand ♦Kleines Oberflächenmontagegehäuse (HSOP8) ♦Pb-freie Bleibeschichtung; RoHS-konform ♦Halogenfrei ...
ROHM Semiconductor
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Strom: 24 A
Spannung: 40 V
... Der HP8KB7 ist ein MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand, der sich ideal für Schaltanwendungen eignet. EIGENSCHAFTEN: ♦Niedriger Einschaltwiderstand ♦Kleines Oberflächenmontagegehäuse (HSOP8) ♦Pb-freie Bleibeschichtung; RoHS-konform ♦Halogenfrei ...
ROHM Semiconductor
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Strom: 23 A
Spannung: 60 V
... Der HP8KC6 ist ein MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand, der sich ideal für Schaltanwendungen eignet. EIGENSCHAFTEN: ♦Niedriger Einschaltwiderstand ♦Kleines Oberflächenmontagegehäuse (HSOP8) ♦Pb-freie Bleibeschichtung; RoHS-konform ♦Halogenfrei ...
ROHM Semiconductor
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Strom: 24 A
Spannung: 60 V
... Der HP8KC7 ist ein MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand, der sich ideal für Schaltanwendungen eignet. Merkmale: ♦Niedriger Einschaltwiderstand ♦Kleines Oberflächenmontagegehäuse (HSOP8) ♦Pb-freie Bleibeschichtung; RoHS-konform ♦Halogenfrei ...
ROHM Semiconductor
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Strom: 0,4 A - 45 A
Spannung: 36 V - 70 V
... ST bietet eine breite Palette an intelligenten 3- und 5-poligen Low-Side-Schaltern (OMNIFET) für die Automobilindustrie an, die auf der VIPower-Technologie (Vertical Intelligent Power) basieren. Diese firmeneigene Technologie ermöglicht ...
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