Transistoren

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IGBT-Transistor
IGBT-Transistor
XPT™ series

Spannung: 1.700, 2.500, 4.500 V

Diese Geräte wurden entwickelt unter Verwendung der proprietären Thin-Wafer XPT™-Technologie und des aktuellsten IGBT-Prozesses und zeichnen sich durch Eigenschaften wie reduzierten thermischen Widerstand, niedrigen tail strom, geringen ...

IGBT-Transistormodul
IGBT-Transistormodul
MG12600WB-BR2MM series

Strom: 600 A
Spannung: 1.200 V

Die IGBT-Module von Littelfuse bieten eine hohe Effizient und die schnellen Umschaltgeschwindigkeiten moderner IGBT-Technologien in einem widerstandsfähigen und flexiblen Format. Das große Portfolio an IGBT-Modulen von Littelfuse wird ...

bipolarer Transistor
bipolarer Transistor

... Toshiba bietet eine breite Palette von Bipolartransistoren für verschiedene Anwendungen an, darunter Hochfrequenz- (RF) und Stromversorgungsgeräte. ...

MOSFET-Transistor
MOSFET-Transistor
IPD900P06NM

Strom: -16,4 A
Spannung: -60 V

... P-Kanal-MOSFETs in normaler und logischer Ausführung, die die Komplexität des Designs bei Anwendungen mit mittlerem und niedrigem Stromverbrauch reduzieren OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs 60V im DPAK-Gehäuse sind die neue Technologie für Batteriemanagement-, ...

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Infineon Technologies AG
IGBT-Transistormodul
IGBT-Transistormodul
QC962-8A

... QC962-8A ist ein integrierter Hybrid-IGBT-Treiber. Seine Hauptfunktion besteht darin, das Rechtecksignal vom Controller zu empfangen und es in ein isoliertes, verstärktes Gatesignal umzuwandeln, das den Ein- und Ausschaltzyklus des IGBT steuert. ...

IGBT-Transistormodul
IGBT-Transistormodul
QP12W05S-37

IGBT-Transistormodul
IGBT-Transistormodul
QP12W08S-37A

Strom: 25 mA
Spannung: 13 V

... FEATURES - Eingebautes isoliertes DC-DC-Netzteil; Single Power versorgungstreiber-Topologie - Hohe Isolationsspannung von 3750VAC - Eingangssignalfrequenz bis zu 20kHz - Eingebaute Fehlerschaltung mit einem Pin zur Fehlerrückmeldung - ...

Leistungstransistormodul
Leistungstransistormodul
AFM906N

Spannung: 7,5 V

... Der AFM906N ist für tragbare Zwei-Wege-Funkgeräte mit Frequenzen von 136 bis 941 MHz ausgelegt. Die hohe Verstärkung, Robustheit und Breitbandleistung dieses Geräts machen es ideal für Großsignal-, Common-Source-Verstärkeranwendungen ...

IGBT-Transistor
IGBT-Transistor
PDSA-series

... Buchsen für Power IC Standard Typ Einfach in Reihe ●Wie bestellen ex: PDSA-1076-Sxx-GG x:Anzahl der Positionen 2 bis 16 Durchschlagfestigkeit - - Isolationswiderstand - - Betriebstemperatur EX.) PDSA-1076-Sxx-GG x = Anzahl der ...

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JC CHERRY INC.
IGBT-Transistor
IGBT-Transistor
PDSP series

... Mittelgroßer Sockel für Leistungs-IC Durchgangsloch-Typ Dualer Stil 2.54mm / 0.100" Raster ●So bestellen Sie ex: PDSP-CM1-Dxx-GG x: Anzahl der Positionen 04,12,20 (gerade Zahl) *Bei anderen Positionszahlen nehmen Sie bitte Kontakt ...

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JC CHERRY INC.
IGBT-Transistor
IGBT-Transistor
PDHS254-NB15-S series

... Buchsen für Leistungstransistoren Teilung Hohe Temperatur Geringe Ausgasung Mehrpoliger Typ Hochzuverlässiger runder Kontakt mit guter elektrischer und mechanischer Leistung. Die Testfassungen für Leistungstransistoren eignen sich für ...

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JC CHERRY INC.
MOSFET-Transistor
MOSFET-Transistor
700 V | TOPSwitch-HX

Spannung: 110, 265 V

... Beschreibung: TOPSwitch-HX beinhaltet einen 700 V Leistungs-MOSFET, eine Hochspannungs-Schaltstromquelle, eine PWM-Steuerung, einen Oszillator, eine thermische Abschaltstufe, einen Fehlerschutz und andere Steuerschaltungen auf einem monolithischen ...

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Power Integrations
Transistor / Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode
Transistor / Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode
BID series

Strom: 5, 20, 30, 50 A
Spannung: 600 V

... Die diskrete BID-Serie von Bourns® IGBT kombiniert die Technologie eines MOS-Gate- und eines bipolaren Transistors und ist damit das richtige Bauteil für Hochspannungs- und Hochstromanwendungen. Dieser Baustein verwendet die fortschrittliche ...

bipolarer Transistor
bipolarer Transistor
BC337-25

Strom: 0,8 A
Spannung: 50 V

... Gleichstromverstärkung hFE Max.:400 Gleichstromverstärkung hFE Min.:160 Beschreibung:TO-92, 50V, 0.8A, NPN Bipolar Transistor IC (A):0.8 PD (W):0.625 Paket:TO-92 Polarität:NPN Status:Aktiv TJ Max. (°C):150 VCBO (V):50 VCE ...

RF-Transistor
RF-Transistor
AT-32011

Strom: 1 mA - 20 mA
Spannung: 2,7 V

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Broadcom
IGBT-Transistormodul
IGBT-Transistormodul
NXH800H120L7QDSG

Strom: 800 A
Spannung: 1.200 V

... Das NXH800H120L7QDSG ist ein Halbbrücken-IGBT-Leistungsmodul mit Nennleistung. Die integrierten Field Stop Trench 7 IGBTs und Gen. 7 Dioden sorgen für geringere Leitungs- und Schaltverluste, wodurch die Entwickler einen hohen Wirkungsgrad ...

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Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistormodul
MOSFET-Transistormodul
RH6G040BG

Strom: 95 A
Spannung: 40 V

RH6G040BG ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand im Hochleistungsgehäuse, geeignet für Schaltanwendungen.

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ROHM Semiconductor
MOSFET-Transistor
MOSFET-Transistor
L9338

Strom: 0,4 A - 45 A
Spannung: 36 V - 70 V

... ST bietet eine breite Palette an intelligenten 3- und 5-poligen Low-Side-Schaltern (OMNIFET) für die Automobilindustrie an, die auf der VIPower-Technologie (Vertical Intelligent Power) basieren. Diese firmeneigene Technologie ermöglicht ...

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STMicroelectronics
IGBT-Transistor
IGBT-Transistor
5SN series

Strom: 150 A - 3.600 A
Spannung: 1.200, 1.700, 3.300, 4.500, 6.500 V

IGBT-Leistungsmodule von Hitachi Energy sind für Spannungen von 1700–6500 Volt als Einzel-, Doppel-/Phasenbein-, Chopper-IGBT- und Doppeldiodenmodule verfügbar. Die HiPak IGBT-Hochleistungsmodule zeichnen sich durch niedrige Verluste ...

IGBT-Transistor
IGBT-Transistor
StakPak

Strom: 3.000, 1.300, 2.000 A
Spannung: 4.500, 5.200 V

... StakPak ist eine Familie von Hochleistungs-IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)-Presspacks und Dioden in einem fortschrittlichen modularen Gehäuse, das einen gleichmäßigen Chipdruck in Stapeln mit mehreren Bauelementen ...

IGBT-Transistormodul
IGBT-Transistormodul
SKiiP 11NAB065V1

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SEMIKRON
MOSFET-Transistor
MOSFET-Transistor
IRF series

Spannung: -400 V - 1.000 V

... Vishay ist der weltweit führende Hersteller von Low-Power-MOSFETs. Die Vishay Siliconix Power-MOSFET-Produktlinie umfasst Geräte in mehr als 30 Gehäusetypen, darunter die Chip-Skala MICRO FOOT® und die thermisch fortschrittliche PowerPAK®-Familie. ...

bipolarer Transistor
bipolarer Transistor

Spannung: 0,24 V - 3,5 V

bipolarer Transistor
bipolarer Transistor
BCX51

Spannung: 45 V

... BESCHREIBUNG: Die CENTRAL SEMICONDUCTOR-Typen BCX51, BCX52 und BCX53 sind PNP-Siliziumtransistoren hergestellt nach dem Epitaxie-Planarverfahren, Epoxidharz in einem oberflächenmontierbaren Gehäuse gegossen, das für Hochstrom-Allzweck-Verstärkeranwendungen ...

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Central Semiconductor
Feldeffekttransistor
Feldeffekttransistor
COM-MOSFET

Strom: 2 A
Spannung: 36 V

Mit dem COM-MOSFET können Sie eine Spannung von bis zu 36 Volt steuern. Mit Hilfe von Pulsweitenmodulation kann auch die Effektivspannung gesenkt werden (z. B. zum Dimmen einer LED Beleuchtung). KOMPATIBEL MIT Arduino, Raspberry Pi, ...

RF-Transistormodul
RF-Transistormodul

... GaN-HEMTs, GaAs-FETs, MMICs und rauscharme HEMT-Lösungen bieten hohe Leistung und kompromisslose Zuverlässigkeit für Radar, Basisstationen, SATCOM, Punkt-zu-Punkt- und Raumfahrtanwendungen. ...

IGBT-Transistormodul
IGBT-Transistormodul
SKM145GB066D

Strom: 150 A
Spannung: 600 V

... untergebracht, das die Integration des Geräts in bestehende Anlagen erleichtert. Die IGBT-Module (Insulated Gate Bipolar Transistor) werden als Schaltelemente für die Leistungswandler von drehzahlvariablen Antrieben für ...

FET-Transistor
FET-Transistor

... Avago verfügt über ein umfangreiches Portfolio an bipolaren Silizium-HF-Transistoren und GaAs-FETs Die GaAs FET-HF-Transistoren sind ideal für die erste oder zweite Stufe der Basisstation LNA aufgrund der hervorragenden Kombination aus ...

bipolarer Transistor
bipolarer Transistor
DMB series

Spannung: 20, 50 V

... N-Kanal-MOSFET und NPN-Transistor in einem Gehäuse Niedriger On-Widerstand Sehr niedrige Gate-Schwellenspannung, 1,0V max Niedrige Eingangskapazität Schnelle Schaltgeschwindigkeit Geringe Eingangs-/Ausgangsleckage ...

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Diodes Incorporated
bipolarer Transistor
bipolarer Transistor
BFS20

Strom: 25 mA
Spannung: 20 V

Kollektor Emitter Spannung - Vceo 20 V DC Kollektorstrom - Ic - 25 mA Polaritat - pol - NPN Verlustleistung - Ptot - 0.200 W Sperrschicht Temperatur - Tjmax - 150 °C Kollektor Basis Stromverhaltnis - hfe - 85 - VcE - 10V - Ic - 7 mA Kollektor ...

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Diotec
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