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Spannung: 60 V
... NPN-Epitaxie-Siliziumtransistor Anwendungen Dieses Produkt ist universell einsetzbar und eignet sich für viele verschiedene Anwendungen. ...
Strom: 81 A
Spannung: 1.200 V
SCT4018KE ist ein SiC-MOSFET, der zur Miniaturisierung und zum niedrigen Stromverbrauch von Anwendungen beiträgt. Es handelt sich um ein Produkt der 4. Generation, das einen branchenweit führenden niedrigen On-Widerstand erreicht, ohne ...
ROHM Semiconductor
Strom: 51 A
Spannung: 750 V
Der SCT4026DW7 ist ein SiC (Siliziumkarbid) Trench-MOSFET. Zu seinen Merkmalen gehören eine hohe Spannungsfestigkeit, ein niedriger Einschaltwiderstand und eine hohe Schaltgeschwindigkeit. Vorteile von ROHMs SiC MOSFETs der 4. Generation Diese ...
ROHM Semiconductor
Strom: 75 A
Spannung: 1.200 V
Der SCT4018KW7 ist ein SiC (Siliziumkarbid) Trench-MOSFET. Zu seinen Merkmalen gehören eine hohe Spannungsfestigkeit, ein niedriger Einschaltwiderstand und eine hohe Schaltgeschwindigkeit. Vorteile von ROHMs SiC MOSFETs der 4. Generation Diese ...
ROHM Semiconductor
Strom: 31 A
Spannung: 750 V
Der SCT4045DW7 ist ein SiC (Siliziumkarbid) Trench-MOSFET. Zu seinen Merkmalen gehören eine hohe Spannungsfestigkeit, ein niedriger Einschaltwiderstand und eine hohe Schaltgeschwindigkeit. Vorteile von ROHMs SiC MOSFETs der 4. Generation Diese ...
ROHM Semiconductor
Strom: 24 A
Spannung: 1.200 V
Der SCT4062KW7 ist ein SiC (Siliziumkarbid) Trench-MOSFET. Zu seinen Merkmalen gehören eine hohe Spannungsfestigkeit, ein niedriger Einschaltwiderstand und eine hohe Schaltgeschwindigkeit. Vorteile von ROHMs SiC MOSFETs der 4. Generation Diese ...
ROHM Semiconductor
Strom: 98 A
Spannung: 750 V
SCT4013DW7 ist ein SiC (Siliziumkarbid) Trench-MOSFET. Zu seinen Merkmalen gehören eine hohe Spannungsfestigkeit, ein niedriger Einschaltwiderstand und eine hohe Schaltgeschwindigkeit. Vorteile von ROHMs SiC-MOSFETs der 4. Generation Diese ...
ROHM Semiconductor
Strom: 34 A
Spannung: 750 V
AEC-Q101-qualifiziertes Produkt für die Automobilindustrie. Der SCT4045DRHR ist ein SiC (Siliziumkarbid) Trench-MOSFET. Zu seinen Merkmalen gehören eine hohe Spannungsfestigkeit, ein niedriger Einschaltwiderstand und eine hohe Schaltgeschwindigkeit. Vorteile ...
ROHM Semiconductor
Strom: 31 A
Spannung: 750 V
AEC-Q101-qualifiziertes Produkt für die Automobilindustrie. SCT4045DW7HR ist ein SiC (Siliziumkarbid) Trench-MOSFET. Zu seinen Merkmalen gehören eine hohe Spannungsfestigkeit, ein niedriger Einschaltwiderstand und eine hohe Schaltgeschwindigkeit. Vorteile ...
ROHM Semiconductor
Strom: 26 A
Spannung: 1.200 V
AEC-Q101-qualifiziertes Produkt für die Automobilindustrie. SCT4062KRHR ist ein SiC (Siliziumkarbid) Trench-MOSFET. Zu seinen Merkmalen gehören eine hohe Spannungsfestigkeit, ein niedriger Einschaltwiderstand und eine hohe Schaltgeschwindigkeit. Vorteile ...
ROHM Semiconductor
Strom: 24 A
Spannung: 1.200 V
AEC-Q101-qualifiziertes Produkt für die Automobilindustrie. SCT4062KW7HR ist ein SiC (Siliziumkarbid) Trench-MOSFET. Zu seinen Merkmalen gehören eine hohe Spannungsfestigkeit, ein niedriger Einschaltwiderstand und eine hohe Schaltgeschwindigkeit. Vorteile ...
ROHM Semiconductor
Strom: 24 A
Spannung: 1.700 V
... Structure" (EHVS1), die für hochauflösende CRT-Bildschirme entwickelt wurde. Die neue HD-Produktserie weist eine verbesserte Silizium-Effizienz auf und bringt eine aktualisierte Leistung für die Horizontalablenkungsstufe. Alle ...
Spannung: 45 V
... BESCHREIBUNG: Die CENTRAL SEMICONDUCTOR-Typen BCX51, BCX52 und BCX53 sind PNP-Siliziumtransistoren hergestellt nach dem Epitaxie-Planarverfahren, Epoxidharz in einem oberflächenmontierbaren Gehäuse gegossen, das für Hochstrom-Allzweck-Verstärkeranwendungen ...
Central Semiconductor
Spannung: 50 V
... BESCHREIBUNG: Der ZENTRALE HALBLEITER CMPT5086, CMPT5086B und CMPT5087 sind Silizium-PNP-Transistoren hergestellt nach dem epitaktischen Planarverfahren, Epoxidharz geformt in einem oberflächenmontierbaren Gehäuse, konzipiert ...
Central Semiconductor
Spannung: 60 V
... BESCHREIBUNG: Der ZENTRALE HALBKONDUKTOR BCV47 ist ein Silizium-NPN-Darlington-Transistor, der im Epitaxie-Planarverfahren hergestellt und in einem oberflächenmontierbaren Gehäuse mit Epoxidharz vergossen ...
Central Semiconductor
Spannung: 60 V
Central Semiconductor
... BESCHREIBUNG: Die CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPFJ175 und CMPFJ176 sind epoxidharzgeformte P-Kanal-JFETs hergestellt in einem SOT-23-Gehäuse, das für Low-Level-Verstärkeranwendungen ausgelegt ist. MARKIERUNGSCODES CMPFJ175: 6W CMPFJ176: 6X ...
Central Semiconductor
Spannung: 30 V
... BESCHREIBUNG: Die CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPFJ175 und CMPFJ176 sind epoxidharzgeformte P-Kanal-JFETs hergestellt in einem SOT-23-Gehäuse, das für Low-Level-Verstärkeranwendungen ausgelegt ist. MARKIERUNGSCODES CMPFJ175: 6W CMPFJ176: 6X ...
Central Semiconductor
Spannung: 40 V
... BESCHREIBUNG: Die ZENTRALHALBKONTROLLEUREN CMPP6027 und CMPP6028 sind programmierbare Silizium-Unijunction-Transistoren, die in einem oberflächenmontierbaren SOT-23-Gehäuse hergestellt werden und für einstellbare (programmierbare) ...
Central Semiconductor
Strom: 200 mA
Spannung: 40 V
... BESCHREIBUNG: Der ZENTRALE HALBKONDUKTOR CMLM0405 ist ein einzelner NPN-Transistor und eine Schottky-Diode im Gehäuse ein platzsparendes SOT-563-Gehäuse und wurde für allgemeine Anwendungen mit kleinen Signalen entwickelt, ...
Central Semiconductor
Strom: 1 A
Spannung: 25, 40, 6 V
... Mobiltelefone, Digitalkameras, Pager, PDAs, Notebook-PCs usw. MERKMALE - Dual-Chip-Gerät - Hochstrom (1,0A) Transistor und Schottky-Gleichrichter - NPN-Transistor mit niedrigem VCE(SAT) (450mV @ IC=1,0A ...
Central Semiconductor
Strom: 1 A - 5 A
Spannung: 12 V - 400 V
... spezielle Lösungen zu entwickeln, die auf die Kundenbedürfnisse zugeschnitten sind, und die Vorteile der außergewöhnlichen Transistor-Die-Leistung mit dem Know-how des Diodengehäuses zu kombinieren. ...
Diodes Incorporated
Spannung: 50, 100 V
... Der FMMT413 ist ein NPN-Silizium-Planar-Bipolartransistor, der für den Lawinenbetrieb optimiert ist. Strenge Prozesskontrolle und induktionsarme Verpackung ergeben zusammen hohe Stromimpulse mit schnellen Kanten, ideal ...
Diodes Incorporated
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