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Diese Baureihe von Siliziumkarbid-(SiC)-Schottky-Dioden hat einen vernachlässigbaren Sperrverzögerungsstrom, ein hohes Ableitvermögen und eine maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C. Diese Dioden ...
Direktspannung: 1,5 V - 3 V
Sperrspannung: 600, 1.250, 650 V
... Die schnellen Erholungsdioden von Renesas bieten kurze Erholungszeiten für Gleichrichtungszwecke in sehr hochfrequenten Anwendungen. ...
Sperrspannung: 650 V
Siliziumkarbid- (SiC-) SBD mit hoher Stoßspannungsfestigkeit Die kürzere Erholungszeit ermöglicht schnelles Schalten.
ROHM Semiconductor
Sperrspannung: 650 V
... Kürzere Erholungszeit, die ein schnelles Umschalten ermöglicht. MERKMALE: Geringere Temperaturabhängigkeit Schalten mit hoher Geschwindigkeit möglich Hohe Stoßstromfähigkeit ...
ROHM Semiconductor
Sperrspannung: 650 V
Die kürzere Erholungszeit ermöglicht schnelles Schalten.
ROHM Semiconductor
Direktspannung: 1,45 V - 2,2 V
Sperrspannung: 600 V - 1.200 V
... Siliziumkarbid-Dioden gehören zu unserer STPOWER-Familie. Die Effizienz und Robustheit von Solarwechselrichtern, Motorantrieben, unterbrechungsfreien Stromversorgungen und Schaltkreisen in Elektrofahrzeugen wird durch ...
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