Schalttransistoren

Strom: -16,4 A
Spannung: -60 V

... P-Kanal-MOSFETs in normaler und logischer Ausführung, die die Komplexität des Designs bei Anwendungen mit mittlerem und niedrigem Stromverbrauch reduzieren OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs 60V im DPAK-Gehäuse sind die neue Technologie für Batteriemanagement-, ...

Strom: 5, 20, 30, 50 A
Spannung: 600 V

... Die diskrete BID-Serie von Bourns® IGBT kombiniert die Technologie eines MOS-Gate- und eines bipolaren Transistors und ist damit das richtige Bauteil für Hochspannungs- und Hochstromanwendungen. Dieser Baustein verwendet die fortschrittliche ...

Strom: 0,8 A
Spannung: 50 V

... Gleichstromverstärkung hFE Max.:400 Gleichstromverstärkung hFE Min.:160 Beschreibung:TO-92, 50V, 0.8A, NPN Bipolar Transistor IC (A):0.8 PD (W):0.625 Paket:TO-92 Polarität:NPN Status:Aktiv TJ Max. (°C):150 VCBO (V):50 VCE Sat. (V):0.7 VCEO ...

Strom: 800 A
Spannung: 1.200 V

... Das NXH800H120L7QDSG ist ein Halbbrücken-IGBT-Leistungsmodul mit Nennleistung. Die integrierten Field Stop Trench 7 IGBTs und Gen. 7 Dioden sorgen für geringere Leitungs- und Schaltverluste, wodurch die Entwickler einen hohen Wirkungsgrad ...

Strom: 95 A
Spannung: 40 V

RH6G040BG ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand im Hochleistungsgehäuse, geeignet für Schaltanwendungen.

Strom: 8 A
Spannung: 600 V

... Dieser IGBT nutzt den fortschrittlichen PowerMESH™-Prozess, der einen hervorragenden Kompromiss zwischen Schaltleistung und niedrigem Einschaltverhalten bietet. Alle Merkmale Niedriger Einschalt-Spannungsabfall (VCE(sat)) Sehr weiche ...

Strom: 150 A - 3.600 A
Spannung: 1.200, 1.700, 3.300, 4.500, 6.500 V

IGBT-Leistungsmodule von Hitachi Energy sind für Spannungen von 1700–6500 Volt als Einzel-, Doppel-/Phasenbein-, Chopper-IGBT- und Doppeldiodenmodule verfügbar. Die HiPak IGBT-Hochleistungsmodule zeichnen sich durch niedrige Verluste ...

Spannung: 50 V

... BESCHREIBUNG: Der Zentral-Halbleiter CMKT3920 (zwei einzelne NPN-Transistoren) ist eine Doppelkombination in einem Raum sparendes SOT-363 ULTRAmini™ Paket, das für allgemeine Verstärker- und Schaltanwendungen mit kleinen Signalen entwickelt ...

Spannung: 20, 50 V

... N-Kanal-MOSFET und NPN-Transistor in einem Gehäuse Niedriger On-Widerstand Sehr niedrige Gate-Schwellenspannung, 1,0V max Niedrige Eingangskapazität Schnelle Schaltgeschwindigkeit Geringe Eingangs-/Ausgangsleckage Ultrakleines ...

Strom: 100 mA
Spannung: 60, 50 V

Typische Anwendungen Digitale Steuerungen Schalten, Signalverarbeitung Standardausfuhrung Suffix -Q: AEC-Q101 konform ‘) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation ‘) Besonderheiten Platz- und Kosteneinsparung durch integrierte Widerstandskombination " ...

... Merkmale: - Feldstopp Trench Gate IGBT - Kurzschlussfestigkeit>10ps - - Niedrige Sättigungsspannung - Niedriger Schaltverlust - 100% RBSOA-geprüft (2*lc) - Geringe Streuinduktivität - Bleifrei, konform mit RoHS-Anforderungen - Montagelösung ...