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... Beschreibung Der Hochgeschwindigkeits-4X14Gbps-Photodetektorchip ist eine GaAs-Positiv-Eingangs-PIN-Struktur, die sich durch hohe Reaktionsfähigkeit, niedrige Kapazität und geringen Dunkelstrom auszeichnet; die Größe ...
... Beschreibung Dieser Fotodioden-Chip mit hoher Datenrate von 100 Gbit/s besteht aus einer GaAs-PIN-Struktur, die von oben beleuchtet wird. Eigenschaften sind hohe Verantwortung, niedrige Kapazität, niedriger ...
... FEATURES ● Hochempfindliche 10G Lawinenphotodiode. ● Typischer Empfindlichkeitswert -27,5dBm@BER=1E-12, -33dBm@BER=1E-3. ● 5-Pin TO46 mit kurzer Linsenkappe, hermetisch dichtes Gehäuse. ● Qualifiziert auf Basis der Normen ...
Anwendungsfelder Mobile und smarte Endgeräte Überwachung der Vitalparameter Medizin & Gesundheit Digitale Diagnosegeräte
... Buchsentyp Dieser Hochgeschwindigkeits-Photosensor wurde für die Glasfaserkommunikation im 0,85-µm-Band entwickelt. Diese Si-PIN-Photodiode vom Buchsentyp ist mit GI-50-Multimode-Glasfasern kompatibel. Merkmale - Hochgeschwindigkeits-Ansprechverhalten: ...
HAMAMATSU
... Silizium-PIN-Fotodiode MERKMALE Gehäusetyp: Oberflächenmontage Gehäuseform: 1206 Abmessungen (L x B x H in mm): 4 x 2 x 1,05 ANWENDUNGEN Hochgeschwindigkeits-Fotodetektor ...
... zuverlässig gemessen werden. - UV-Breitband - 0,06mm2 Detektorfläche - TO18 hermetisch abgedichtetes Metallgehäuse, 1 isolierter Pin und 1 Gehäusestift - 10 mW/cm2 Bestrahlung bei 280 nm (Spitzenempfindlichkeit) ergibt ...
Scitec Instruments
... PD-LD Inc. bietet eine Vielzahl von Standard- und kundenspezifischen PIN-Photodioden und APDs sind fasergekoppelte Gehäuse in bewährter Herstellung und Design. Unsere Germanium-Geräte sind für einen Bereich von 800 bis ...
... hervorragende Leistung bei erweiterten Betriebstemperaturen in Hochgeschwindigkeitsanwendungen bis zu 10G. Das Produkt integriert PIN- und TIA-Chips in einem kundenspezifischen hermetischen TO46-Gehäuse. Jedes Gerät wird ...
LUMENTUM
InGaAs APD 1100 - 1700 nm Die InGaAs Lawinenfotodioden detektieren im Spektralbereich von 1100 nm bis 1700 nm. Im Vergleich zu Germanium Dioden haben sie ein deutlich geringeres Rauschen. InGaAs APD 1100 - 1700 nm Die InGaAs Avalanche ...
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