PIN-Fotodioden

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PIN-Fotodiode
PIN-Fotodiode
XSJ-10-G5-55-K4

... Beschreibung Der Hochgeschwindigkeits-4X14Gbps-Photodetektorchip ist eine GaAs-Positiv-Eingangs-PIN-Struktur, die sich durch hohe Reaktionsfähigkeit, niedrige Kapazität und geringen Dunkelstrom auszeichnet; die Größe ...

PIN-Fotodiode
PIN-Fotodiode
XSJ-10-G6-38H-K4

... Beschreibung Dieser Fotodioden-Chip mit hoher Datenrate von 100 Gbit/s besteht aus einer GaAs-PIN-Struktur, die von oben beleuchtet wird. Eigenschaften sind hohe Verantwortung, niedrige Kapazität, niedriger ...

Avalanche-Fotodiode
Avalanche-Fotodiode
XSJ20T-3840-5CA-G43、XSJ20T-3840-XCA-G43

... FEATURES ● Hochempfindliche 10G Lawinenphotodiode. ● Typischer Empfindlichkeitswert -27,5dBm@BER=1E-12, -33dBm@BER=1E-3. ● 5-Pin TO46 mit kurzer Linsenkappe, hermetisch dichtes Gehäuse. ● Qualifiziert auf Basis der Normen ...

Silizium-Fotodiode
Silizium-Fotodiode
SFH 2704A

Anwendungsfelder Mobile und smarte Endgeräte Überwachung der Vitalparameter Medizin & Gesundheit Digitale Diagnosegeräte

PIN-Fotodiode
PIN-Fotodiode
S12109-32

... Buchsentyp Dieser Hochgeschwindigkeits-Photosensor wurde für die Glasfaserkommunikation im 0,85-µm-Band entwickelt. Diese Si-PIN-Photodiode vom Buchsentyp ist mit GI-50-Multimode-Glasfasern kompatibel. Merkmale - Hochgeschwindigkeits-Ansprechverhalten: ...

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HAMAMATSU
Silizium-Fotodiode
Silizium-Fotodiode
VEMD6010X01

... Silizium-PIN-Fotodiode MERKMALE Gehäusetyp: Oberflächenmontage Gehäuseform: 1206 Abmessungen (L x B x H in mm): 4 x 2 x 1,05 ANWENDUNGEN Hochgeschwindigkeits-Fotodetektor ...

Avalanche-Fotodiode
Avalanche-Fotodiode

... PD-LD Inc. bietet eine Vielzahl von Standard- und kundenspezifischen PIN-Photodioden und APDs sind fasergekoppelte Gehäuse in bewährter Herstellung und Design. Unsere Germanium-Geräte sind für einen Bereich von 800 bis ...

Avalanche-Fotodiode
Avalanche-Fotodiode

... hervorragende Leistung bei erweiterten Betriebstemperaturen in Hochgeschwindigkeitsanwendungen bis zu 10G. Das Produkt integriert PIN- und TIA-Chips in einem kundenspezifischen hermetischen TO46-Gehäuse. Jedes Gerät wird ...

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LUMENTUM
InGaAs-Fotodiode
InGaAs-Fotodiode
IAG Series

InGaAs APD 1100 - 1700 nm Die InGaAs Lawinenfotodioden detektieren im Spektralbereich von 1100 nm bis 1700 nm. Im Vergleich zu Germanium Dioden haben sie ein deutlich geringeres Rauschen. InGaAs APD 1100 - 1700 nm Die InGaAs Avalanche ...

UV-Fotodiode
UV-Fotodiode
SG01S-18

... zuverlässig gemessen werden. - UV-Breitband - 0,06mm2 Detektorfläche - TO18 hermetisch abgedichtetes Metallgehäuse, 1 isolierter Pin und 1 Gehäusestift - 10 mW/cm2 Bestrahlung bei 280 nm (Spitzenempfindlichkeit) ergibt ...

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Scitec Instruments
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