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Strom: 100 mA
Spannung: 50, 60 V
Typische Anwendungen Digitale Steuerungen Schalten Signalverarbeitung Standardausfuhrung Suffix -Q: AEC-Q101 konform ‘) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation !) Besonderheiten Zwei Komplementartransistoren in einem Gehause Platz- und ...
Strom: 100 mA
Spannung: 60, 50 V
Typische Anwendungen Digitale Steuerungen Schalten, Signalverarbeitung Standardausfuhrung Suffix -Q: AEC-Q101 konform ‘) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation ‘) Besonderheiten Platz- und Kosteneinsparung durch integrierte Widerstandskombination " ...
Spannung: 60 V
... NPN-Epitaxie-Siliziumtransistor Anwendungen Dieses Produkt ist universell einsetzbar und eignet sich für viele verschiedene Anwendungen. ...
Fairchild Semiconductor
Strom: 15 A
Spannung: 140 V
... Bipolarer NPN-Leistungstransistor Die MJ15001 und MJ15002 sind Leistungstransistoren, die für Hochleistungs-Audio, Plattenkopfpositionierer und andere lineare Anwendungen entwickelt wurden. Merkmale Hoher sicherer ...
Fairchild Semiconductor
Strom: 5 A
Spannung: 50 V
... Bipolarer Transistor, NPN Die MJ15003 und MJ15004 sind Leistungstransistoren, die für Hochleistungs-Audio, Plattenkopfpositionierer und andere lineare Anwendungen entwickelt wurden. Merkmale Für verzerrungsarme ...
Fairchild Semiconductor
Strom: 16 A
Spannung: 250 V
Fairchild Semiconductor
Strom: 16 A
Spannung: 250 V
Fairchild Semiconductor
Strom: 15 A
Spannung: 230 V
Fairchild Semiconductor
Strom: 0,05 A
Spannung: 12 V
Fairchild Semiconductor
Strom: 20 A
Spannung: 650 V
Reduzierte Schaltverluste, Schnellschaltung ermöglicht. (2-Pin-Gehäuse)
Strom: 24 A
Spannung: 1.700 V
... Der Baustein verwendet einen Diffused Collector in Planar-Technologie mit "Enhanced High Voltage Structure" (EHVS1), die für hochauflösende CRT-Bildschirme entwickelt wurde. Die neue HD-Produktserie weist eine verbesserte Silizium-Effizienz ...
Spannung: 50 V
... BESCHREIBUNG: Der Zentral-Halbleiter CMKT3920 (zwei einzelne NPN-Transistoren) ist eine Doppelkombination in einem Raum sparendes SOT-363 ULTRAmini™ Paket, das für allgemeine Verstärker- und Schaltanwendungen mit kleinen ...
Central Semiconductor
Spannung: 60 V
... BESCHREIBUNG: Der ZENTRALE HALBKONDUKTOR BCV47 ist ein Silizium-NPN-Darlington-Transistor, der im Epitaxie-Planarverfahren hergestellt und in einem oberflächenmontierbaren Gehäuse mit Epoxidharz vergossen ...
Central Semiconductor
Spannung: 60 V
Central Semiconductor
Strom: 200 mA
Spannung: 40 V
... BESCHREIBUNG: Der ZENTRALE HALBKONDUKTOR CMLM0405 ist ein einzelner NPN-Transistor und eine Schottky-Diode im Gehäuse ein platzsparendes SOT-563-Gehäuse und wurde für allgemeine Anwendungen mit kleinen ...
Central Semiconductor
Strom: 1 A
Spannung: 25, 40, 6 V
... BESCHREIBUNG: Der CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLM1034-832D besteht aus einem NPN-Transistor mit niedrigem VCE(SAT) und einem Schottky-Gleichrichter mit niedrigem VF. Er ist in einem kleinen, thermisch effizienten, ...
Central Semiconductor
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