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... PMST Power Device Analyzer Statisches Testsystem für MOSFET BJT IGBT und SiC GaN Halbleiter Das Prüfsystem für statische Parameter von Leistungsbauelementen (PMST) integriert eine Vielzahl von Mess- ...
... Kapazitäts-Spannungs-Messungen (C-V) werden häufig zur Messung von Halbleiterparametern verwendet, insbesondere bei MOS-CAP- und MOSFET-Strukturen. Die Kapazität der MOS-Struktur (Metall-Oxid-Halbleiter) ist eine Funktion ...
... hauptsächlich für Leistungszyklustests und thermische Widerstandstests von Leistungshalbleitern wie IGBT (Si/SiC/GaN-Materialien), MOSFET, DIODE usw., um die Leistung von Leistungshalbleitern während der Lebensdauer zu ...
... Multi-Site-MOSFET-Testsystem-STS8202 System Merkmal: - MOSFET-Wafer-Test an bis zu 16 Standorten, 100V/10A pro Standort-Test - Hochspannungstest-Option bis zu 1000V - UIS-Testoption ...
Beijing Huafeng Test & Control Technology Co., Ltd.
... Diskretes Leistungsprüfsystem-STS8203 Systemmerkmale： - Fokus auf den Test von diskreten Leistungsbauelementen wie MOSFET, Schottky, IGBT - 2000v/ 200A DC Testfähigkeit - UIS , DVDS und ZMU (Ciss/Coss/Crss/Rg) Testoption - ...
Beijing Huafeng Test & Control Technology Co., Ltd.
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