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Spannung: 1.700, 2.500, 4.500 V
Diese Geräte wurden entwickelt unter Verwendung der proprietären Thin-Wafer XPT™-Technologie und des aktuellsten IGBT-Prozesses und zeichnen sich durch Eigenschaften wie reduzierten thermischen Widerstand, niedrigen tail strom, geringen ...
... Toshiba bietet eine breite Palette von Bipolartransistoren für verschiedene Anwendungen an, darunter Hochfrequenz- (RF) und Stromversorgungsgeräte. ...
Strom: -16,4 A
Spannung: -60 V
... P-Kanal-MOSFETs in normaler und logischer Ausführung, die die Komplexität des Designs bei Anwendungen mit mittlerem und niedrigem Stromverbrauch reduzieren OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs 60V im DPAK-Gehäuse sind die neue Technologie für Batteriemanagement-, ...
Infineon Technologies AG
Spannung: 7,5 V
... Der AFM906N ist für tragbare Zwei-Wege-Funkgeräte mit Frequenzen von 136 bis 941 MHz ausgelegt. Die hohe Verstärkung, Robustheit und Breitbandleistung dieses Geräts machen es ideal für Großsignal-, Common-Source-Verstärkeranwendungen ...
... Buchsen für Power IC Standard Typ Einfach in Reihe ●Wie bestellen ex: PDSA-1076-Sxx-GG x:Anzahl der Positionen 2 bis 16 Durchschlagfestigkeit - - Isolationswiderstand - - Betriebstemperatur EX.) PDSA-1076-Sxx-GG x = Anzahl der ...
JC CHERRY INC.
... Mittelgroßer Sockel für Leistungs-IC Durchgangsloch-Typ Dualer Stil 2.54mm / 0.100" Raster ●So bestellen Sie ex: PDSP-CM1-Dxx-GG x: Anzahl der Positionen 04,12,20 (gerade Zahl) *Bei anderen Positionszahlen nehmen Sie bitte Kontakt ...
JC CHERRY INC.
... Buchsen für Leistungstransistoren Teilung Hohe Temperatur Geringe Ausgasung Mehrpoliger Typ Hochzuverlässiger runder Kontakt mit guter elektrischer und mechanischer Leistung. Die Testfassungen für Leistungstransistoren eignen sich für ...
JC CHERRY INC.
Spannung: 110, 265 V
... Beschreibung: TOPSwitch-HX beinhaltet einen 700 V Leistungs-MOSFET, eine Hochspannungs-Schaltstromquelle, eine PWM-Steuerung, einen Oszillator, eine thermische Abschaltstufe, einen Fehlerschutz und andere Steuerschaltungen auf einem monolithischen ...
Power Integrations
Strom: 800 A
Spannung: 1.200 V
... Das NXH800H120L7QDSG ist ein Halbbrücken-IGBT-Leistungsmodul mit Nennleistung. Die integrierten Field Stop Trench 7 IGBTs und Gen. 7 Dioden sorgen für geringere Leitungs- und Schaltverluste, wodurch die Entwickler einen hohen Wirkungsgrad ...
Fairchild Semiconductor
Strom: 95 A
Spannung: 40 V
RH6G040BG ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand im Hochleistungsgehäuse, geeignet für Schaltanwendungen.
ROHM Semiconductor
Strom: 0,4 A - 45 A
Spannung: 36 V - 70 V
... ST bietet eine breite Palette an intelligenten 3- und 5-poligen Low-Side-Schaltern (OMNIFET) für die Automobilindustrie an, die auf der VIPower-Technologie (Vertical Intelligent Power) basieren. Diese firmeneigene Technologie ermöglicht ...
STMicroelectronics
Strom: 150 A - 3.600 A
Spannung: 1.200, 1.700, 3.300, 4.500, 6.500 V
IGBT-Leistungsmodule von Hitachi Energy sind für Spannungen von 1700–6500 Volt als Einzel-, Doppel-/Phasenbein-, Chopper-IGBT- und Doppeldiodenmodule verfügbar. Die HiPak IGBT-Hochleistungsmodule zeichnen sich durch niedrige Verluste ...
Spannung: -400 V - 1.000 V
... Vishay ist der weltweit führende Hersteller von Low-Power-MOSFETs. Die Vishay Siliconix Power-MOSFET-Produktlinie umfasst Geräte in mehr als 30 Gehäusetypen, darunter die Chip-Skala MICRO FOOT® und die thermisch fortschrittliche PowerPAK®-Familie. ...
Spannung: 45 V
... BESCHREIBUNG: Die CENTRAL SEMICONDUCTOR-Typen BCX51, BCX52 und BCX53 sind PNP-Siliziumtransistoren hergestellt nach dem Epitaxie-Planarverfahren, Epoxidharz in einem oberflächenmontierbaren Gehäuse gegossen, das für Hochstrom-Allzweck-Verstärkeranwendungen ...
Central Semiconductor
... Avago verfügt über ein umfangreiches Portfolio an bipolaren Silizium-HF-Transistoren und GaAs-FETs Die GaAs FET-HF-Transistoren sind ideal für die erste oder zweite Stufe der Basisstation LNA aufgrund der hervorragenden Kombination aus ...
Strom: 1 A - 5 A
Spannung: 12 V - 400 V
... Diodes ist Marktführer, wenn es um Bipolartransistoren geht. Durch die breite Palette an eigenen Gehäusen und die überlegene Siliziumtechnologie ist Diodes ideal positioniert, um Ihre Anwendungsanforderungen an Bipolartransistoren zu ...
Strom: 25 mA
Spannung: 20 V
Kollektor Emitter Spannung - Vceo 20 V DC Kollektorstrom - Ic - 25 mA Polaritat - pol - NPN Verlustleistung - Ptot - 0.200 W Sperrschicht Temperatur - Tjmax - 150 °C Kollektor Basis Stromverhaltnis - hfe - 85 - VcE - 10V - Ic - 7 mA Kollektor ...
Diotec
Strom: 10, 25 A
Spannung: 1.200 V
... Merkmale Graben + Filed Stop IGBT-Technologie -10ps Kurzschlussfestigkeit -Versât) mit positivem Temperaturkoeffizienten -Fall mit niedriger Induktivität -Schnelle und sanfte Rückwärtswiederherstellung antiparallel FWD Isolierte Kupfergrundplatte ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Spannung: 8 V - 35 V
... Das Bluetooth-Modul ist ein Übergangsmodul für die Datenkommunikation zwischen Handy und Aggregat. Es ist über RS485 mit der Aggregatesteuerung verbunden. Über die mobile APP können Aggregatinformationen abgerufen und der Start/Stopp ...
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