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Spannung: 600 V
Der BM64378S-VA ist ein Intelligent Power Modul, das aus Gate-Treibern, Bootstrap-Dioden, IGBTs und Fly-Wheel-Dioden besteht.
ROHM Semiconductor
Spannung: 600 V
Der BM64375S-VA ist ein Intelligent Power Modul, das aus Gate-Treibern, Bootstrap-Dioden, IGBTs und Fly-Wheel-Dioden besteht.
ROHM Semiconductor
Spannung: 600 V
Der BM63373S-VA/-VC ist ein intelligentes Leistungsmodul, das aus Gate-Treibern, Bootstrap-Dioden, IGBTs und Fly-Wheel-Dioden besteht.
ROHM Semiconductor
Spannung: 600 V
Der BM63573S-VA/-VC ist ein intelligentes Leistungsmodul, das aus Gate-Treibern, Bootstrap-Dioden, IGBTs und Fly-Wheel-Dioden besteht.
ROHM Semiconductor
Spannung: 600 V
BM63767S-VC ist ein intelligentes Energiemodul bestehend aus Gate-Treibern, Bootstrap-Dioden, IGBTs und schnellen Schwungraddioden.
ROHM Semiconductor
SEMIKRON
SEMIKRON
SEMIKRON
SEMIKRON
SEMIKRON
Spannung: 500 V
... ■ Merkmale: ♦3-phase 500V Treiber ♦RDS(ON) ist maximal 1,60 @ID=1,2A,TJ=25°C ♦Built-in 3-Phasen MOSFET mit schneller Wiederherstellung ♦3 separate DC-Negativports zur Strommessung des Wechselrichters ♦High und Low-Side Eingangssignal ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Spannung: 600 V
... ■ Merkmale: ♦3-phase 600V/15A Treiber ♦DBC Technologie mit niedrigem Wärmewiderstand ♦Built-in IGBT, Gate-Treiber und Schutz-IC für Leistungsgeräte ♦Separate 3-phasige DC-Negativports zur Stromerkennung von Wechselrichtern ♦Built-in Hochspannungs-IC ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Spannung: 600 V
... ■ Merkmale: ♦3-phase 600V/30A Treiber ♦DBC Technologie mit niedrigem Wärmewiderstand ♦Built-in IGBT, Gate-Treiber und Schutz-IC für Leistungsgeräte ♦Separate 3-phasige DC-Negativports zur Stromerkennung von Wechselrichtern ♦Built-in Hochspannungs-IC ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
... Sechzehn Form A NO-Relais, 5A max @ 250Vac/30Vdc induktive Last, 5A max resistiv. 10A max/ 8 Relaisbank mit CAN-Vernetzung 20A max/ 8 Relaisbank mit 0 CAN-Vernetzung Werkseitig installierte ARK-Unterdrückung optional ...
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