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Strom: 4 A
Spannung: 650 V
Die R6xxxENx-Serie sind rauscharme Super Junction MOSFETs, bei denen die einfache Handhabung im Vordergrund steht. Die Produkte dieser Serie erreichen eine hervorragende Leistung für rauschempfindliche Anwendungen zur Reduzierung des ...
ROHM Semiconductor
Strom: 1,7 A
Spannung: 600 V
Die R6xxxENx-Serie sind rauscharme Super Junction MOSFETs, bei denen die einfache Handhabung im Vordergrund steht. Die Produkte dieser Serie erreichen eine hervorragende Leistung für rauschempfindliche Anwendungen zur Reduzierung des ...
ROHM Semiconductor
Strom: 76 A
Spannung: 600 V
Der R6076ENZ4 ist ein Leistungs-MOSFET für Schaltanwendungen.
ROHM Semiconductor
Strom: 4 A
Spannung: 600 V
Der Leistungs-MOSFET R6004END3 ist für Schaltnetzteile geeignet.
ROHM Semiconductor
Strom: 11 A
Spannung: 650 V
Der R6511ENX ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und hoher Schaltgeschwindigkeit, der für Schaltanwendungen geeignet ist.
ROHM Semiconductor
Strom: 11 A
Spannung: 650 V
Der R6511ENJ ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und hoher Schaltgeschwindigkeit, der für Schaltanwendungen geeignet ist.
ROHM Semiconductor
Strom: 24 A
Spannung: 650 V
Der R6524ENJ ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und hoher Schaltgeschwindigkeit, der für Schaltanwendungen geeignet ist.
ROHM Semiconductor
Strom: 30 A
Spannung: 650 V
Der R6530ENX ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und hoher Schaltgeschwindigkeit für Schaltanwendungen.
ROHM Semiconductor
Strom: 4 A
Spannung: 600 V
MOSFETs mit Leistung sind so entwickelt, dass sie durch einen niedrigen Einschaltwiderstand mithilfe von Mikrobearbeitungstechnologien für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet sind. Das breit aufgestellte Sortiment umfasst kompakte, ...
ROHM Semiconductor
Strom: 30 A
Spannung: 600 V
MOSFETs mit Leistung sind so entwickelt, dass sie durch einen niedrigen Einschaltwiderstand mithilfe von Mikrobearbeitungstechnologien für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet sind. Das breit aufgestellte Sortiment umfasst kompakte, ...
ROHM Semiconductor
Spannung: 50 V
... BESCHREIBUNG: Der ZENTRALE HALBLEITER CMPT5086, CMPT5086B und CMPT5087 sind Silizium-PNP-Transistoren hergestellt nach dem epitaktischen Planarverfahren, Epoxidharz geformt in einem oberflächenmontierbaren Gehäuse, konzipiert für anwendungen, ...
... GaN-HEMTs, GaAs-FETs, MMICs und rauscharme HEMT-Lösungen bieten hohe Leistung und kompromisslose Zuverlässigkeit für Radar, Basisstationen, SATCOM, Punkt-zu-Punkt- und Raumfahrtanwendungen. ...
... Mit extrem rauscharmem PHEMT. Der Prozess ist optimiert, um einen sehr niedrigen Rauschwert für kritische Mobilfunk-/PCS-Basisstationen und andere drahtlose HF-Anwendungen, eine hohe Teile-zu-Teil-Konsistenz und eine ausgezeichnete Zuverlässigkeit ...
Broadcom
... ATF-35143 ist ein PHEMT mit hohem Dynamikbereich und geringem Rauschen, das in einem 4-poligen SC-70 Oberflächenmontage-Kunststoffgehäuse untergebracht ist. ...
Broadcom
Broadcom
... Avago verfügt über ein umfangreiches Portfolio an bipolaren Silizium-HF-Transistoren und GaAs-FETs Die GaAs FET-HF-Transistoren sind ideal für die erste oder zweite Stufe der Basisstation LNA aufgrund der hervorragenden Kombination aus ...
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