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Strom: 0,2, 1,65, 0,01 mA
... Fallzeit tf 8.0 µs Anstiegszeit tf 8.0 µs Spektralbereich der Empfindlichkeit typ. λ10% min. 450 nm λ10% max. 1100 nm Strahlungsempfindlicher Bereich A 0.11 mm² Abstrahlwinkel ∢ 110 ° Abmessungen l 5.35 mm w 5.35 mm h 3.3 mm Betriebstemperatur Oben ...
Strom: 50,5, 60, 75 A
Spannung: 32 V - 300 V
... Optokoppler, Fototransistorausgang, mit Basisanschluss, hohe BVCEO-Spannung MERKMALE Sehr hohe Kollektor-Emitter-Durchbruchsspannung BVCEO Isolationsprüfspannung: 5000 VRMS Niedrige Kopplungskapazität ANWENDUNGEN Telekommunikation Industrielle ...
VISHAY
Strom: 50, 60 mA
Spannung: 30 V - 300 V
... Optokoppler, Photodarlington-Ausgang, hohe Verstärkung, mit Basisanschluss MERKMALE Sehr hohes Stromübertragungsverhältnis, mindestens 500 %. Hoher Isolationswiderstand, 1011 Ω typisch Standard-DIP-Plastikgehäuse ...
VISHAY
Strom: 1 mA
Spannung: 80 mV
... OIT9C 4-Kanal-Fototransistor-Anordnung 0,60 mm optisches Raster auf Kunststoff-SMD-Gehäuse OIT9C besteht aus einer monolithischen Anordnung eines Silizium-Fototransistors. Die Fototransistoren haben einen gemeinsamen ...
Optoi Microelectronics
Strom: 1 mA
Spannung: 50 mV
Optoi Microelectronics
Strom: 1 mA
Spannung: 80 mV
... OIT12C-OIT12C-S 9-Kanal-Fototransistor-Anordnung 0,45 mm optisches Raster auf Kunststoff-SMD-Gehäuse Allgemeine Beschreibung OIT12C besteht aus einer monolithischen Anordnung eines Silizium-Fototransistors. Die Fototransistoren ...
Optoi Microelectronics
Strom: 1 mA
Spannung: 80 mV
... OIT15C-OIT15C-S 6-Kanal-Fototransistor-Anordnung 0,45 mm optisches Raster auf Kunststoff-SMD-Gehäuse OIT15C besteht aus einer monolithischen Anordnung eines Silizium-Fototransistors. Die Fototransistoren haben einen ...
Optoi Microelectronics
Strom: 1 mA
Spannung: 80 mV
... OIT29 3-Kanal-Fototransistor-Anordnung 0,60 mm optisches Raster auf Kunststoff-SMD-Gehäuse Allgemeine Beschreibung OIT29 besteht aus einem Drei-Elemente-Silizium monolithische Anordnung von Fototransistoren. Die Fototransistoren ...
Optoi Microelectronics
Strom: 1 mA
Spannung: 80 mV
... OIT29 3-Kanal-Fototransistor-Anordnung 0,60 mm optisches Raster auf Kunststoff-SMD-Gehäuse OIT29 besteht aus einer monolithischen Anordnung von Silizium-Fototransistoren mit drei Elementen. Die Fototransistoren haben ...
Optoi Microelectronics
Strom: 1 mA
Spannung: 80 mV
... OIT6C 12-Kanal-Fototransistor-Anordnung 0,60 mm optisches Raster auf Kunststoff-SMD-Gehäuse Allgemeine Beschreibung OIT6C besteht aus zwei monolithischen Silizium-Fototransistor-Arrays. Die Fototransistoren ...
Optoi Microelectronics
Strom: 1 mA
Spannung: 80 mV
... OIT7C 16-Kanal-Fototransistor-Anordnung 0,60 mm optisch pitch auf Kunststoff-SMD-Gehäuse, Kreuzform OIT7C besteht aus drei monolithischen Silizium-Fototransistor-Arrays. Die beiden Arrays mit je sechs ...
Optoi Microelectronics
Strom: 1 mA
Spannung: 80 mV
... OIT18C-NR 13-Kanal-Fototransistor-Anordnung 0,45 mm optisches Raster auf Kunststoff-SMD-Gehäuse Allgemeine Beschreibung OIT18C besteht aus einer monolithischen Anordnung von 13 Elementen in einem Silizium-Fototransistor. ...
Optoi Microelectronics
Strom: 1 mA
Spannung: 80 mV
... OIT25C-NR 6-Kanal-Fototransistor-Anordnung 0,68 mm optisches Raster auf Kunststoff-SMD-Gehäuse Allgemeine Beschreibung OIT25C besteht aus einem sechs einzeln gewürfelten Silizium-Fototransistor. Die ...
Optoi Microelectronics
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