Fotodiodenchips

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Fotodiodenchip
Fotodiodenchip
XSJ-10-D6-32A

... Dieser 25Gbps-Photodioden-Chip ist ein von oben beleuchteter PIN-Photodioden-Chip mit hoher Datenrate und einer aktiven Fläche von Φ32μm. Seine Eigenschaften haben hohe Empfindlichkeit, niedrige Kapazität, niedriger Dunkelstrom und ausgezeichnete ...

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PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
Fotodiodenchip
Fotodiodenchip
XSJ-10-D6-32

... Dieser 25Gbps-Photodioden-Chip ist ein von oben beleuchteter PIN-Photodioden-Chip mit hoher Datenrate und einer aktiven Fläche von Φ32μm. Seine Eigenschaften haben hohe Empfindlichkeit, niedrige Kapazität, niedriger Dunkelstrom und ausgezeichnete ...

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PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
Fotodiodenchip
Fotodiodenchip
XSJ-10-D5-50A

... Dieser 10Gbps-Photodiodenchip mit hoher Datenrate hat eine InGaAs/InP-PIN-Struktur und ist von oben beleuchtet. Merkmale sind hohe Verantwortung, niedrige Kapazität, niedriger Dunkelstrom, die Größe der aktiven Fläche ist Φ50μm, Anode ...

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PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
Fotodiodenchip
Fotodiodenchip
XSJ-10-D6-20

... Dieser 10Gbps-Photodiodenchip mit hoher Datenrate hat eine InGaAs/InP-PIN-Struktur und ist von oben beleuchtet. Merkmale sind hohe Verantwortung, niedrige Kapazität, niedriger Dunkelstrom, die Größe der aktiven Fläche ist Φ50μm, Anode ...

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PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
Fotodiodenchip
Fotodiodenchip
XSJ-10-APD6-16

... Dieser 25Gbps Avalanche-Photodioden-Chip (APD-Chip) ist eine Art Ground-Signal (GS)-Elektrodenstruktur mit einer aktiven Fläche von Φ16μm, die von oben beleuchtet wird. Dieses Produkt zeichnet sich durch hohe Multiplikation, niedrige ...

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PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
digitaler Chip
digitaler Chip
XSJ-10-M-100-EI

... Dieser kantenbeleuchtete InGaAs/InP-Monitor-PIN-Photodiodenchip mit großer aktiver Fläche hat eine planare Struktur mit Anode und Doppelkathode an der Oberseite. Edge detektierbaren Bereich Größe ist 100μmX80μm, und höhere Empfindlichkeit ...

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PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
Fotodiodenchip
Fotodiodenchip
XSJ-10-D7-16X

... Dieser 56GBaud-Photodioden-Chip ist ein von oben beleuchteter PIN-Photodioden-Chip mit hoher Datenrate und einer aktiven Fläche von Φ16μm. Seine Eigenschaften haben hohe Empfindlichkeit, niedrige Kapazität, niedriger Dunkelstrom und ausgezeichnete ...

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PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
digitaler Chip
digitaler Chip
XSJ-10-EMPD-120R

... Der XSJ-10-EMPD-120R ist ein kantenbeleuchteter InGaAs/InP-Monitor-PIN-Photodiodenchip mit planarer Struktur und Anoden- und Kathodenkontakt an der Oberseite. Die Größe des detektierbaren Bereichs der Photodiode beträgt 120μmX60μm, was ...

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Fotodiodenchip
Fotodiodenchip
XSJ-10-M-500BM

... Dieser von oben beleuchtete InGaAs/InP-Monitor-PIN-Photodiodenchip mit großer aktiver Fläche hat eine planare Struktur mit einer Anode oben und einer Kathode auf der Rückseite. Die aktive Fläche ist Φ500μm groß und hat eine hohe Empfindlichkeit ...

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Fotodiodenchip
Fotodiodenchip
XSJ-10-APD4-80X

... Ein Avalanche-Photodioden-Chip (APD-Chip) ist eine Art aktives Bauelement, das eine eingebaute Verstärkung bietet und den Fotostrom verstärkt. Dieses Produkt zeichnet sich durch eine Anode auf der Oberseite und eine Kathode auf der Rückseite ...

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programmierbare integrierte Schaltung
programmierbare integrierte Schaltung
GC-IP201(B)

Die Interpolationsschaltkreise GC-IP201 und GC-IP201B dienen der Auflösungserhöhung für inkrementale Weg- und Winkelmesssysteme mit sinusförmigen Ausgangssignalen. Die Signale dieser Inkrementalsensoren werden einer von der AMAC patentierten ...

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AMAC ASIC - und Mikrosensoranwendung Chemnitz GmbH
Stärk integrierte Schaltung
Stärk integrierte Schaltung
GC-AIP40

Der Interpolationsschaltkreis GC-AIP40 dient zur Auflösungserhöhung von inkrementale Weg- und Winkelmeßsysteme mit sinusförmigen, um 90° phasenverschobenen Ausgangssignalen. Der IC ist sowohl für Sensoren mit einer standardisierten Spannungsbzw. ...

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AMAC ASIC - und Mikrosensoranwendung Chemnitz GmbH
Fotodiodenchip
Fotodiodenchip
2.5G series

... Multi Quantum Well Distributed Feedback Laser Direkte Modulation über 2,5 Gbps hinaus Ungekühlter Betrieb von -20°C bis +85 °C Entwickelt für Telcordia GR-468 Kleines Fernfeld Anwendungen PON, ACCESS, Optisches Ethernet, SDH ...

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Guilin GLSUN Science and Tech Group Co., Ltd
Fotodiodenchip
Fotodiodenchip
10G series

... Multi Quantum Well Distributed Feedback Laser Direkte Modulation über 10Gbps hinaus Ungekühlter Betrieb von -20°C bis +85 °C Entwickelt für Telcordia GR-468 Anwendungen PON, Zugang, optisches Ethernet, SDH ...

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Guilin GLSUN Science and Tech Group Co., Ltd
Sensor-Chip
Sensor-Chip
MPD series

... - Großes Erkennungsfenster - Hohe Ansprechempfindlichkeit - Niedriger Dunkelstrom & niedrige Kapazität Anwendungen - Überwachung der optischen Leistung der Rückseitenfläche ...

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Guilin GLSUN Science and Tech Group Co., Ltd
Fotodiodenchip
Fotodiodenchip
25G series

... Multi Quantum Well Distributed Feedback Laser Direkte Modulation bis zu 25Gbps über die Betriebstemperatur Ungekühlter Betrieb von -20°C bis +75°C Entwickelt für Telcordia GR-468 Anwendungen 5G, Rechenzentrum Laser-Typ:DFB Wellenlänge:1270nm, ...

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Guilin GLSUN Science and Tech Group Co., Ltd
Fotodiodenchip
Fotodiodenchip
PIN series

... -Hohe Reaktionsfähigkeit -Niedriger Dunkelstrom und niedrige Kapazität Anwendungen - P2P / PON - Datacom ...

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Stärk integrierte Schaltung
Stärk integrierte Schaltung
RLX40i

Die monolithische CMOS-Schaltung wandelt sowohl die Sinus- und Cosinus-Eingangssignale, als auch die analogen Referenzsignale in digitale Signale mit einstellbarem Teilungsfaktor (1, 2, 3, 4, 5, 8, 10) um. Das Referenzsignal für die Pulsweite ...

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