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... BESCHREIBUNG: Die CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPFJ175 und CMPFJ176 sind epoxidharzgeformte P-Kanal-JFETs hergestellt in einem SOT-23-Gehäuse, das für Low-Level-Verstärkeranwendungen ausgelegt ist. MARKIERUNGSCODES CMPFJ175: 6W CMPFJ176: 6X ...
Central Semiconductor
Spannung: 30 V
... BESCHREIBUNG: Die CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPFJ175 und CMPFJ176 sind epoxidharzgeformte P-Kanal-JFETs hergestellt in einem SOT-23-Gehäuse, das für Low-Level-Verstärkeranwendungen ausgelegt ist. MARKIERUNGSCODES CMPFJ175: 6W CMPFJ176: 6X ...
Central Semiconductor
... GaN-HEMTs, GaAs-FETs, MMICs und rauscharme HEMT-Lösungen bieten hohe Leistung und kompromisslose Zuverlässigkeit für Radar, Basisstationen, SATCOM, Punkt-zu-Punkt- und Raumfahrtanwendungen. ...
... Mit extrem rauscharmem PHEMT. Der Prozess ist optimiert, um einen sehr niedrigen Rauschwert für kritische Mobilfunk-/PCS-Basisstationen und andere drahtlose HF-Anwendungen, eine hohe Teile-zu-Teil-Konsistenz und eine ausgezeichnete Zuverlässigkeit ...
Broadcom
... ATF-35143 ist ein PHEMT mit hohem Dynamikbereich und geringem Rauschen, das in einem 4-poligen SC-70 Oberflächenmontage-Kunststoffgehäuse untergebracht ist. ...
Broadcom
Broadcom
... Avago verfügt über ein umfangreiches Portfolio an bipolaren Silizium-HF-Transistoren und GaAs-FETs Die GaAs FET-HF-Transistoren sind ideal für die erste oder zweite Stufe der Basisstation LNA aufgrund der hervorragenden ...
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