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Spannung: 1.700, 2.500, 4.500 V
Diese Geräte wurden entwickelt unter Verwendung der proprietären Thin-Wafer XPT™-Technologie und des aktuellsten IGBT-Prozesses und zeichnen sich durch Eigenschaften wie reduzierten thermischen Widerstand, niedrigen tail strom, geringen ...
Strom: 600 A
Spannung: 1.200 V
Die IGBT-Module von Littelfuse bieten eine hohe Effizient und die schnellen Umschaltgeschwindigkeiten moderner IGBT-Technologien in einem widerstandsfähigen und flexiblen Format. Das große Portfolio an IGBT-Modulen von Littelfuse wird ...
Strom: 28 A
Spannung: 650 V
... Der hart schaltende TRENCHSTOP™ 5 S5 IGBT im TO-220-Gehäuse eignet sich für Anwendungen, die zwischen 10 kHz und 40 kHz schalten, und bietet eine hohe Stromdichte, einen hohen Wirkungsgrad, kürzere Markteinführungszyklen, eine Verringerung ...
Infineon Technologies AG
... Hochstrom Dvice Sockel Hohe Temperatur ℃ 5.45mm Raster Rechtwinklig Geringe Ausgasung Dies ist ein Sockel, der einer Leiterplattenanordnung mit Höhenbeschränkungen entsprechen kann, indem das Gerät zur Seite gedreht wird. ● Unterstützt ...
JC CHERRY INC.
... Buchsen für Power IC Standard Typ Einfach in Reihe ●Wie bestellen ex: PDSA-1076-Sxx-GG x:Anzahl der Positionen 2 bis 16 Durchschlagfestigkeit - - Isolationswiderstand - - Betriebstemperatur EX.) PDSA-1076-Sxx-GG x = Anzahl der ...
JC CHERRY INC.
... Mittelgroßer Sockel für Leistungs-IC Durchgangsloch-Typ Dualer Stil 2.54mm / 0.100" Raster ●So bestellen Sie ex: PDSP-CM1-Dxx-GG x: Anzahl der Positionen 04,12,20 (gerade Zahl) *Bei anderen Positionszahlen nehmen Sie bitte Kontakt ...
JC CHERRY INC.
Strom: 0,8 A
Spannung: 50 V
... Gleichstromverstärkung hFE Max.:400 Gleichstromverstärkung hFE Min.:160 Beschreibung:TO-92, 50V, 0.8A, NPN Bipolar Transistor IC (A):0.8 PD (W):0.625 Paket:TO-92 Polarität:NPN Status:Aktiv TJ Max. (°C):150 VCBO (V):50 VCE ...
Strom: 15 A
Spannung: 140 V
... Bipolarer NPN-Leistungstransistor Die MJ15001 und MJ15002 sind Leistungstransistoren, die für Hochleistungs-Audio, Plattenkopfpositionierer und andere lineare Anwendungen entwickelt wurden. Merkmale Hoher sicherer ...
Fairchild Semiconductor
Strom: 8 A
Spannung: 1.700 V
... QC962-8A ist ein integrierter Hybrid-IGBT-Treiber. Seine Hauptfunktion besteht darin, das Rechtecksignal vom Controller zu empfangen und es in ein isoliertes, verstärktes Gatesignal umzuwandeln, das den Ein- und Ausschaltzyklus des IGBT steuert. ...
MORNSUN Guangzhou Science & Technology Co.,Ltd.
Strom: 20 A
Spannung: 650 V
Reduzierte Schaltverluste, Schnellschaltung ermöglicht. (2-Pin-Gehäuse)
ROHM Semiconductor
Strom: 24 A
Spannung: 1.700 V
... Der Baustein verwendet einen Diffused Collector in Planar-Technologie mit "Enhanced High Voltage Structure" (EHVS1), die für hochauflösende CRT-Bildschirme entwickelt wurde. Die neue HD-Produktserie weist eine verbesserte Silizium-Effizienz ...
STMicroelectronics
Strom: 150 A - 3.600 A
Spannung: 1.200, 1.700, 3.300, 4.500, 6.500 V
IGBT-Leistungsmodule von Hitachi Energy sind für Spannungen von 1700–6500 Volt als Einzel-, Doppel-/Phasenbein-, Chopper-IGBT- und Doppeldiodenmodule verfügbar. Die HiPak IGBT-Hochleistungsmodule zeichnen sich durch niedrige Verluste ...
Strom: 3.000, 1.300, 2.000 A
Spannung: 4.500, 5.200 V
... StakPak ist eine Familie von Hochleistungs-IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)-Presspacks und Dioden in einem fortschrittlichen modularen Gehäuse, das einen gleichmäßigen Chipdruck in Stapeln mit mehreren Bauelementen ...
Spannung: 60 V
... BESCHREIBUNG: Der ZENTRALE HALBKONDUKTOR BCV47 ist ein Silizium-NPN-Darlington-Transistor, der im Epitaxie-Planarverfahren hergestellt und in einem oberflächenmontierbaren Gehäuse mit Epoxidharz vergossen wird und für ...
Central Semiconductor
SEMIKRON
Strom: 10 A - 1.600 A
Spannung: 600 V - 1.700 V
... Greegoo bietet IGBT-Module (Insulated-Gate Bipolar Transistor) in verschiedenen Topologien, Strom- und Spannungsklassen an. Von 15A bis 1600A in Spannungsklassen von 600V bis 1700V werden die IGBT-Module in einer Vielzahl ...
Strom: 150 A
Spannung: 600 V
... untergebracht, das die Integration des Geräts in bestehende Anlagen erleichtert. Die IGBT-Module (Insulated Gate Bipolar Transistor) werden als Schaltelemente für die Leistungswandler von drehzahlvariablen Antrieben für ...
Spannung: 20, 50 V
... N-Kanal-MOSFET und NPN-Transistor in einem Gehäuse Niedriger On-Widerstand Sehr niedrige Gate-Schwellenspannung, 1,0V max Niedrige Eingangskapazität Schnelle Schaltgeschwindigkeit Geringe Eingangs-/Ausgangsleckage ...
Diodes Incorporated
Strom: 25 mA
Spannung: 20 V
Kollektor Emitter Spannung - Vceo 20 V DC Kollektorstrom - Ic - 25 mA Polaritat - pol - NPN Verlustleistung - Ptot - 0.200 W Sperrschicht Temperatur - Tjmax - 150 °C Kollektor Basis Stromverhaltnis - hfe - 85 - VcE - 10V - Ic - 7 mA Kollektor ...
Diotec
Strom: 10, 25 A
Spannung: 1.200 V
... Merkmale Graben + Filed Stop IGBT-Technologie -10ps Kurzschlussfestigkeit -Versât) mit positivem Temperaturkoeffizienten -Fall mit niedriger Induktivität -Schnelle und sanfte Rückwärtswiederherstellung antiparallel FWD Isolierte Kupfergrundplatte ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
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